| 研究課題/領域番号 |
24KF0255
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分18020:加工学および生産工学関連
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
閻 紀旺 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (40323042)
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| 研究分担者 |
HUANG WEIHAI 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2024-11-15 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2026年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
2025年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2024年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
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| 研究開始時の研究の概要 |
GaN is the third-generation semiconductor used in power devices and also has excellent optical properties. This research will elaborate parameters influencing the machining characteristics of GaN during nanoindentation, nanoscale scratching and diamond turning processes.
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