| 研究課題/領域番号 |
24KF0270
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
早川 竜馬 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員 (90469768)
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| 研究分担者 |
BERA JAYANTA 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2024-11-15 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2026年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2025年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2024年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
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| 研究開始時の研究の概要 |
本申請課題では、磁性分子を用いた縦型スピントランジスタを開発し、分子量子ビットへ応用することを目指す。具体的には、金属－絶縁体－半導体構造の絶縁膜に孤立分散した磁性分子をスピン量子ドットとして集積し、2重トンネル接合として用いる。上記トンネル接合をチャネル層に用いた縦型スピントランジスタへ拡張し、量子スピンビットとして動作することを目指す。
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