固体電気二重層の界面制御を利用する高性能イオンゲーティングリザバーの開発

• 研究課題/領域番号: 24KJ0229
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 国内
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 西岡 大貴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, 特別研究員(PD)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2024年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)

研究開始時の研究の概要

従来型計算機で脳機能を模擬するAI計算を行う試みは消費電力増大等の課題に直面している。この解決のため物理系に内在する非線形ダイナミクスで情報処理を行う物理リザバー計算:PRCが注目されている。本研究は固固界面の電気二重層:EDL効果に起因した複雑な疑似神経応答を計算資源とするイオンゲーティングリザバー:IGRについて中間層を挿入する界面エンジニアリングで特性の劇的な変化と性能向上を目指す。PRCの舞台となる物理系は一般的にブラックボックスであり直接制御は困難である。本研究はIGRの非線形ダイナミクスが微小なナノ領域で生じるEDLに由来することに注目し界面エンジニアリングでその直接制御を試みる。