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昨今、脱炭素社会の実現、また世界的な電力需要の増加に対し、再生可能エネルギーの利用が求められ、中でも太陽光発電のコストダウンと高効率化が課題となっている。高効率な多接合型太陽電池にはGeやGaAs等の高価な基板が必要であるが、本研究ではSi基板上へのGaAs系NWの異種接合が可能であるため、コストの低減が期待できる。今回、2インチSi基板上にp-n接合構造を導入した発光・光吸収特性を示すGaAs/AlGaAs NWの大面積成長と太陽電池動作を実証する。また、1.0 eVのバンドギャップを目指し、希釈窒化物半導体GaInNAs(Sb)の導入、及び構造の最適化による高品質結晶成長条件を見出す。
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