電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御

研究課題

研究課題/領域番号	24KJ0622
研究種目	特別研究員奨励費
配分区分	基金
応募区分	国内
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	東京大学
研究代表者	中島隆一東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC2)
研究期間 (年度)	2024-04-23 – 2026-03-31
研究課題ステータス	交付 (2024年度)
配分額 *注記	1,600千円 (直接経費: 1,600千円) 2025年度: 900千円 (直接経費: 900千円) 2024年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
研究開始時の研究の概要	現在集積回路に用いられているSiでは性能向上のための集積化に限界が存在する。一方で二次元半導体は表面にダングリングボンドがないため単層厚さでも性能を維持でき、Siに代わる次世代半導体として検討が進められている。現状はp型動作が非常に困難であることが課題となっている。そのため我々は電極金属と二次元半導体とのコンタクトに焦点を当て、理想的な界面を形成するための手法を考案する。