マグノン演算素子に向けた鉄酸化物薄膜におけるスピン波の伝搬特性と制御

• 研究課題/領域番号: 24KJ0767
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 国内
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 唐 思逸 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 特別研究員(DC2)
• 研究期間 (年度): 2024-04-23 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円); 2025年度: 700千円 (直接経費: 700千円); 2024年度: 700千円 (直接経費: 700千円)

研究開始時の研究の概要

研究者は今までγ-Fe2O3という酸化物薄膜についての研究を注目しております。現存の半導体プロセスに適合している導電基板の上に高品質に成長しました。薄膜中に存在するFe2+の量が減少することで、伝導キャリアによるスピンの散逸が低減されると考えられます。そこで、本研究ではγ-(Fe,Al)2O3薄膜を使用したヘテロ接合型素子を開発します。この素子では、薄膜中の微小なキャリア数を外部摂動（光照射や電圧の印加）によって精密に制御し、スピン波伝搬特性を劇的に変調し、その制御を実現することを目指します。