高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現

• 研究課題/領域番号: 24KJ1270
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 国内
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 權 熊 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)
• 研究期間 (年度): 2024-04-23 – 2026-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円); 2025年度: 700千円 (直接経費: 700千円); 2024年度: 700千円 (直接経費: 700千円)

研究開始時の研究の概要

本研究では、縦型GaN 接合型電界効果トランジスタ（JFET）を用いてパワーデバイスの高性能化及び信頼性向上を実現する。縦型GaN JFETは動作によって生じる電力損失が少ないともにデバイス作製が簡単でありコストが削減できるなどの利点がある。また、本デバイスは電気自動車、高速鉄道など人命と直接関係するシステムへの応用が期待されており、その信頼性が非常に重要である。そのため、信頼性に悪影響を及ぼす結晶欠陥の分析や抑制、デバイス構造の最適化によって高信頼性デバイスを実現する。