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炭化ケイ素（SiC）は次世代のパワー半導体材料として期待されており、すでにSiC金属-酸化膜-半導体 電界効果トランジスタ（MOSFET）の実用化が進んでいる。しかし、SiC MOSFETのチャネル移動度はバルク移動度に比べて著しく低く、SiC本来のポテンシャルを最大限発揮できていない。これは主に酸化膜/SiC界面に存在する高密度の界面欠陥が伝導キャリアを捕獲、散乱するためである。本研究では、高品質SiC MOS界面の形成に向けて、界面欠陥低減プロセスの確立およびSiC MOSFETの高移動度の実証を目指す。
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