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近年、次世代半導体デバイス材料として窒化ガリウム (GaN) が注目されている．GaNの優れた理論物性値を発現し，設計通りに動作するデバイスを得るためには，原子レベルで平滑なGaN基板表面が求められる．しかし，従来の加工法では加工中の機械的ダメージの導入や加工効率の低さが課題となり，高能率に原子レベルで平滑な表面を実現することは困難である．そこで，我々の研究では新たな研磨技術である触媒表面基準エッチング（CARE）法をより発展させた，光電気化学反応援用CARE法の学理の構築および実用化を目的とし，高能率に広い領域での原子レベルの平滑面を創成する研磨技術の実現を目指している．
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