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高密度かつ低応力水素化アモルファスカーボン薄膜の高速製膜

研究課題

研究課題/領域番号 24KJ1810
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分基金
応募区分国内
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関九州大学

研究代表者

小野 晋次郎  九州大学, システム情報科学府, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2024-04-23 – 2027-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
2026年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
2025年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
2024年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
研究開始時の研究の概要

水素化アモルファスカーボン(a-C:H)は、ドライエッチングほか様々な用途の保護膜の重要な材料である。薄膜堆積では、材料分子の選択幅の広さや大面積化の容易さなどからプラズマ化学気相堆積法は主要な堆積法のひとつとして産業的に用いられている。高速製膜では、一分子あたりの炭素数が多い高次炭化水素分子が有利であるが、検討された例は少なく、材料選択の指導原理は確立していない。本研究では、安価に入手可能で1分子中炭素原子数の多いクメン(C9H12)に焦点を当てその堆積機構を解明するとともに、他の材料分子との比較から、材料分子選択の指導原理を明らかにする。

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公開日: 2024-04-24   更新日: 2024-07-03  

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