| 研究開始時の研究の概要 |
本研究は、次世代の超伝導線材開発に不可欠な中温高磁場領域の高臨界電流密度化に関して、最もシンプルでローコストな REBa2Cu3O7-δ(RE123)高温超伝導薄膜作製法であるフッ素フリー有機金属堆積法(FF-MOD 法)を発展させ、独自に考案した複数の手法により、超伝導体内部に効果的なナノ粒子型の磁束ピン止め点の導入を実現し、中温高磁場中で高臨界電流密度(Jc)を有する線材作製プロセスを確立することを目指している。
その Jc の目標値は、線材断面積に占める超伝導層の比率を 1/50 として、標準的な MRI マグネットの設計から算出した、2×104 A/mm2 @30K, 7T 以上を設定する。
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