|
まず、挿入原子の拡張に取り組む。気相反応により様々な原子の挿入を試みる。また、キャリア密度制御を目的とし、挿入原子の充填率制御技術を開発する。
次に、電子顕微鏡を用いて挿入原子の位置や格子定数の変化、欠陥分布等を解明する。また、光吸収分光やラマン分光を用いて挿入原子の種類ごとに電子状態や格子振動を比較する。
最後に、3元系TMCに特有な電子状態と電子輸送特性を解明する。充填率や厚みの異なる試料の電子輸送測定を行う。ラマン分光や原子間力顕微鏡、電子顕微鏡を併用することで、欠陥や試料の厚みの影響を明らかにする。
|
