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水銀系銅酸化物高温超伝導体の臨界温度はなぜ高いのか-マイクロARPESによる機構解明

研究課題

研究課題/領域番号 24KK0061
研究種目

国際共同研究加速基金(海外連携研究)

配分区分基金
審査区分 中区分13:物性物理学およびその関連分野
研究機関東京大学

研究代表者

堀尾 眞史  東京大学, 物性研究所, 助教 (80897025)

研究分担者 永崎 洋  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018)
西尾 太一郎  東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 教授 (40370449)
研究期間 (年度) 2024-09-09 – 2028-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
2027年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2026年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2025年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2024年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
キーワード高温超伝導体 / 光電子分光 / 強相関電子系 / マイクロARPES
研究開始時の研究の概要

高温超伝導体の高い超伝導転移温度(Tc)の起源を探るうえで、角度分解光電子分光(ARPES)による電子構造研究が有効である。しかし、常圧下最高のTcを誇るHgBa2Ca2Cu3O8+δ(Hg1223)は自然劈開面を持たず、試料の劈開を必要とするARPESの適用が阻まれてきた。本研究では、高エネルギー分解能ARPES装置として世界最小レベルの光源サイズを有する放射光施設MAX IVのBlochビームラインを利用し、Hg1223のマイクロARPES測定を行う。劈開後の乱れた表面のうち、微小な平坦領域を選択的に捉えることでARPES測定を実現し、常圧下最高のTcを生み出す要因を電子構造から特定する。

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公開日: 2024-09-10   更新日: 2025-03-21  

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