| 研究課題/領域番号 |
24KK0083
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| 研究種目 |
国際共同研究加速基金(海外連携研究)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
末益 崇 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40282339)
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| 研究分担者 |
本多 周太 関西大学, システム理工学部, 准教授 (00402553)
茂木 裕幸 筑波大学, 数理物質系, 助教 (30845631)
雨宮 健太 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 教授 (80313196)
安田 智裕 筑波大学, 理工情報生命学術院, 特別研究員(DC2) (81004405)
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| 研究期間 (年度) |
2024-09-09 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
20,930千円 (直接経費: 16,100千円、間接経費: 4,830千円)
2027年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
2026年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2025年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2024年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | スピントロニクス / フェリ磁性体 / 垂直磁気異方性 / 磁化補償 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
不純物を添加したMn4N膜をMBE法でMgO基板またはSrTiO3基板にエピタキシャル成長し、磁化特性とX線磁気円二色性等の測定を組み合わせ、室温で磁化補償する不純物を見出す。その後、Pt/SrTiO3基板に膜厚3nm程度の不純物添加Mn4N膜をエピタキシャル成長し、Ptに電流を流してスピンHall効果で生じる純スピン流を不純物添加Mn4N膜に注入し、スピン軌道トルクにより、従来よりも2桁小さい電流密度(～10^9 A/cm2)で、超高速の磁壁移動を室温で実現する。さらに、スピンHall効果を用いて不純物添加Mn4N内に磁気モーメントの歳差運動を誘起し、サブTHzの高周波発振を実現する。
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