| 研究課題/領域番号 |
25000011
|
|---|
| 研究種目 |
特別推進研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
工学
|
|---|
| 研究機関 | 名古屋大学 |
|---|
研究代表者 |
天野 浩 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60202694)
|
|---|
| 研究分担者 |
本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
出来 真斗 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (80757386)
大野 雄高 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (10324451)
三宅 秀人 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 (70209881)
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
福山 博之 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (40252259)
田中 成泰 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 准教授 (70217032)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013 – 2015
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
|
| 配分額 *注記 |
364,520千円 (直接経費: 280,400千円、間接経費: 84,120千円)
2015年度: 76,830千円 (直接経費: 59,100千円、間接経費: 17,730千円)
2014年度: 97,630千円 (直接経費: 75,100千円、間接経費: 22,530千円)
2013年度: 190,060千円 (直接経費: 146,200千円、間接経費: 43,860千円)
|
|---|
| キーワード | 電気・電子材料 / AlN / AlGaN / 結晶成長その場観察 / ナノカーボン / 熱処理 / 分極ドーピング / 深紫外 / ナノワイヤ / 深紫外発光素子 / バルクAlN基板 / 電子線ホログラフィ / 分極電荷エンジニアリング / 低加速電圧SEM / カーボンナノチューブ / グラフェン / 分極半導体 / ナノカーボン電極 / バルクAlN / ソーラーブラインド紫外線検出器 / 電子線励起深紫外レーザ / 電子線励起電流 |
|---|
| 研究成果の概要 |
AlGaNを用いた深紫外LEDの内部量子効率改善のため、昇華法による基板用AlN結晶の作製において二段階成長による高再現性成長技術を構築した。また熱処理によるサファイア上のAlN薄膜の高品質化に成功、さらに光取出効率改善のため、超薄膜グラフェン電極の直接成長、またカーボンナノチューブの仕事関数制御による動作電圧の大幅な低減に世界で初めて成功した。また分極ドーピング理論を構築し、その原理に基づき正孔注入効率の向上に成功した。以上の結果、ワットクラス深紫外LED実現のための要素技術は構築できた。
|
| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
|
評価記号 |
評価結果 (区分)
A: 当初目標に向けて順調に研究が進展しており、期待どおりの成果が見込まれる
|
