| 研究課題/領域番号 |
25220605
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
木村 崇 九州大学, 理学研究院, 教授 (80360535)
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| 研究分担者 |
河江 達也 九州大学, 工学研究院, 准教授 (30253503)
原 正大 熊本大学, 大学院先端科学研究部(理), 准教授 (50392080)
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| 連携研究者 |
山田 和正 九州大学, 理学研究院, 助教 (30380562)
大西 紘平 九州大学, 理学研究院, 助教 (30722293)
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| 研究期間 (年度) |
2013-05-31 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
155,220千円 (直接経費: 119,400千円、間接経費: 35,820千円)
2017年度: 19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2016年度: 19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2015年度: 32,890千円 (直接経費: 25,300千円、間接経費: 7,590千円)
2014年度: 43,680千円 (直接経費: 33,600千円、間接経費: 10,080千円)
2013年度: 39,130千円 (直接経費: 30,100千円、間接経費: 9,030千円)
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| キーワード | 純スピン流 / 金属-絶縁体転移 / 反強磁性体 / スピン注入 / 磁気相転移 / 熱スピン注入 / スピン流 / 金属絶縁体転移 / メモリスタ / 磁性酸化物 / 相転移 |
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| 研究成果の概要 |
熱を用いて効率的に純スピン流を生成する技術を開発するとともに、強磁性共鳴を用いて同技術をワイヤレス・スピン注入技術へと高度化した。また、磁性金属酸化物接合を用いた高精度な横型ナノ抵抗スイッチング素子の動作を実証するとともに、観測される相転移現象の電気的制御メカニズムの解明に成功した。更に、磁性絶縁体におけるスピン流伝導機構について、実験的に調べ、効果的なスピン吸収が生じることを見出した。これら一連の成果は、スピン流による効率的な物性制御技術の開拓に極めて有効である。
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| 評価記号 |
検証結果 (区分)
A-
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評価記号 |
評価結果 (区分)
A-: 当初目標に向けて概ね順調に研究が進展しており、一定の成果が見込まれるが、一部に遅れ等が認められるため、今後努力が必要である
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