| 研究課題/領域番号 |
25246010
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
岡田 晋 筑波大学, 数理物質系, 教授 (70302388)
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| 研究分担者 |
山本 貴博 東京理科大学, 工学部, 准教授 (30408695)
松田 一成 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授 (40311435)
西永 慈郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 研究員 (90454058)
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| 連携研究者 |
松田 一成 京都大学, エネルギー理工学研究所, 教授 (40311435)
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| 研究協力者 |
西永 慈郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2013-05-31 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
45,760千円 (直接経費: 35,200千円、間接経費: 10,560千円)
2016年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2015年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2014年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
2013年度: 15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
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| キーワード | ナノ界面 / カーボンナノチューブ / フラーレン / 半導体 / ナノ界面物性 / ナノ炭素物質 / ナノ材料 / ナノチューブ・フラーレン / 表面・界面物性 / 半導体物性 / シリコン空隙 / ナノチューブ / 表面・界面 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、フラーレン、カーボンナノチューブといったナノスケール炭素物質と無機半導体からなるナノ界面における基礎物性の解明を行った。特に、ナノスケール物質特有のナノ空隙の誘起する特異な電子物性発現の可能性探索を行った。その結果、このような界面に於いては、界面を構成する物質間の空隙に分布する特異な電子状態の存在を明らかにした。また、電場印加下において界面にでは構成物質の電子状態を反映した誘導電場が形成されることを明らかにした。
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