| 研究課題/領域番号 |
25246020
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 大阪大学 (2014-2016)
九州大学 (2013) |
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研究代表者 |
浜屋 宏平 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90401281)
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| 研究分担者 |
斉藤 好昭 株式会社東芝研究開発センター, その他部局等, その他 (80393859)
澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 准教授 (90409376)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
42,250千円 (直接経費: 32,500千円、間接経費: 9,750千円)
2015年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2014年度: 13,780千円 (直接経費: 10,600千円、間接経費: 3,180千円)
2013年度: 19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
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| キーワード | スピントロニクス / ゲルマニウム / 結晶成長 / スピン注入 / MBE / 金属-半導体界面 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，半導体(ゲルマニウム; Ge)を用いた『縦型ショットキースピンMOSFET』の可能性を独自に探索した．主な研究成果として，全エピタキシャル強磁性金属/Ge/強磁性金属縦型構造の実証，p-Ge/強磁性金属ショットキートンネル接合を介したスピン注入・検出の実証，Geチャネル縦型スピンバルブ構造におけるスピン依存伝導現象の観測，の3つの成果があげられる．これらの成果は全て，代表者が独自に開発してきたオンリーワンの技術が鍵となっており，世界に類を見ない研究成果であると言える．今後，縦型Ge構造におけるスピン信号の増大することで，応用への道を開拓する必要がある．
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