| 研究課題/領域番号 |
25246021
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
深津 晋 東京大学, 総合文化研究科, 教授 (60199164)
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| 研究分担者 |
安武 裕輔 東京大学, 総合文化研究科, 助教 (10526726)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2015年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2014年度: 15,990千円 (直接経費: 12,300千円、間接経費: 3,690千円)
2013年度: 21,840千円 (直接経費: 16,800千円、間接経費: 5,040千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / レーザー / 直接遷移 / 電子制御バレートロニクス / 量子カスケード類似構造 / 熱い電子 / バレー間ファノン散乱 / 直接バレー電子注入 / 外場制御バレートロニクス / バレー間フォノン散乱 / 電子ラマン散乱 / 実空間遷移 / 波数空間遷移 / 伝導帯バレー選択的光励起法 |
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| 研究成果の概要 |
ゲルマニウム(Ge)は室温の直接遷移発光が光通信帯波長をカバーし、CMOSプロセス適合性と移動度の高さからチップ搭載・光電子ハイブリッド集積への最短距離に位置している。本研究では、間接遷移半導体Geの直接遷移を利用した室温近赤外レーザーの開発を目指した。これにより歴史的難題であった間接遷移攻略を達成するとともに、直接遷移バレーへの効率的な電子注入を可能にする外場制御型バレートロニクスの開拓を模索した。研究を通じて非平衡電子、バレー間結合、室温ランダウ準位観測、共鳴電子ラマン遷移などGeに特異的な物性への理解を深めるとともにバンド間遷移レーザーの新原理創成につながる知見を集積した。
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