| 研究課題/領域番号 |
25246022
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
谷保 芳孝 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (20393738)
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| 研究分担者 |
熊倉 一英 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 特別研究員 (00393736)
平間 一行 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究主任 (50434329)
山本 秀樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (70393733)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
47,060千円 (直接経費: 36,200千円、間接経費: 10,860千円)
2016年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
2014年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2013年度: 27,950千円 (直接経費: 21,500千円、間接経費: 6,450千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 半導体物性 / 窒化物半導体 / 発光デバイス / 紫外 |
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| 研究成果の概要 |
AlN系半導体の結晶成長機構、電気伝導機構、発光機構を研究し、高品質単結晶成長技術、高効率ドーピング技術、発光制御構造、デバイス作製技術を開発した。これらの学術的知見、基盤技術をベースに、AlN系深紫外LEDの高効率化、光励起による深紫外レーザ発振を達成した。さらに、新規材料として立方晶窒化ボロン（c-BN）の単結晶薄膜成長を世界に先駆け実現した。本研究成果は、AlN系材料・デバイス応用分野を進展させるともに、新規材料・構造の創出に繋がる結晶成長技術の開発に貢献することが期待される。
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