| 研究課題/領域番号 |
25246026
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京学芸大学 (2015)
東京大学 |
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研究代表者 |
高橋 敏男 東京学芸大学, 教育学部, 研究員 (20107395)
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| 研究分担者 |
秋本 晃一 日本女子大学, 理学部, 教授 (40262852)
白澤 徹郎 産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (80451889)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
46,150千円 (直接経費: 35,500千円、間接経費: 10,650千円)
2015年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2014年度: 15,080千円 (直接経費: 11,600千円、間接経費: 3,480千円)
2013年度: 27,560千円 (直接経費: 21,200千円、間接経費: 6,360千円)
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| キーワード | 表面界面構造 / Ｘ線回折 / トポロジカル絶縁体 / 位相問題 / ホログラフィ / 反復位相回復 / 電子密度分布 / 原子分解 / 表面構造 |
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| 研究成果の概要 |
超高真空中においてエピタキシャル成長したトポロジカル絶縁体超薄膜Bi2Se3にCuをドープした試料で表面Ｘ線回折実験を行い、モデルに依存しない直接的な解析法により原子層分解して超薄膜の構造を電子密度分布として精密に求めた。CuはBi2Se3の5層と５層間のファンデアワールス・ギャップに内挿されていること、及びそのギャップ間隔はCuのドープ量に応じて変わることを示した。さらに、この超薄膜試料は低温で超伝導を示さないというこれまでの知見を覆す結果を得た。一方、表面Ｘ線回折データの高度な解析法を用いることにより、長年未解決であったSi(111)-5×2-Au表面構造を最終決定することにも成功した。
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