大気圧プラズマを援用した硬脆ワイドギャップ半導体基板の高能率無歪仕上げ法の開発

• 研究課題/領域番号: 25249006
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 生産工学・加工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 山村 和也 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (60240074)
• 連携研究者: 山田 英明 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンド材料チーム, 主任研究員 (90443233)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 44,590千円 (直接経費: 34,300千円、間接経費: 10,290千円); 2016年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2015年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円); 2014年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円); 2013年度: 14,430千円 (直接経費: 11,100千円、間接経費: 3,330千円)
• キーワード: 大気圧プラズマ / 表面改質 / 研磨 / ワイドギャップ半導体 / ダメージフリー / SiC / GaN / ダイヤモンド / スラリーレス / サファイア

研究成果の概要

本研究ではプラズマ照射による硬脆材料表面の軟質化と軟質砥粒による改質層の除去を複合したプラズマ援用研磨法を提唱し、ワイドギャップ半導体基板の高能率ダメージフリー仕上げ法として実用化するための研究を実施した。プラズマ発生用電極と表面改質層除去用のレジンボンド砥石を交互に配置したハイブリッド電極を有するプラズマ援用研磨装置をGaNウエハの研磨に適用し、研磨特性の評価を実施した．レジンボンド砥石表面のドレシングを間欠的に実施することで，従来のCMPと比較して2.5倍の研磨レートをエッチピットフリーに得ることに成功した．本成果は高機能性の電子材料を高能率・高品位に仕上げる方法として極めて有用である。

研究成果

• [雑誌論文] Damage-free finishing of CVD-SiC by a combination of dry plasma etching and plasma-assisted polishing (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endob, K. Yamamura
  • 雑誌名: Int. J. Mach. Tool. Man. 巻: 115 ページ: 38-46
  • DOI: 10.1016/j.ijmachtools.2016.11.002
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Preliminary study on atmospheric-pressure plasma-based chemical dry figuring and finishing of reaction-sintered silicon carbide (2016)
  • 著者名/発表者名: X. Shen, H. Deng, X. Zhang, K. Peng, K. Yamamura
  • 雑誌名: Opt. Eng. 巻: 55 号: 10 ページ: 105102-105102
  • DOI: 10.1117/1.oe.55.10.105102
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Study on removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing (2016)
  • 著者名/発表者名: C. Kageyama, K. Monna, H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Advanced Materials Research 巻: 1136 ページ: 317-320
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/amr.1136.317
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Annals of the CIRP 巻: 64 号: 1 ページ: 531-534
  • DOI: 10.1016/j.cirp.2015.04.002
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Atomic-scale and pit-free flattening of GaN by combination of plasma pretreatment and time-controlled chemical mechanical polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 107 号: 5 ページ: 051602-051602
  • DOI: 10.1063/1.4928195
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Efficient processing of reaction-sintered silicon carbide by anodically oxidation-assisted polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: X. Shen, Q. Tu, J. Zhou, H. Deng, G. Jiang, K. Yamamura
  • 雑誌名: Opt. Eng. 巻: 54 号: 10 ページ: 055106-055106
  • DOI: 10.1117/1.oe.54.10.105113
  • 査読あり
• [雑誌論文] Finishing of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Key Eng. Mater. 巻: 625 ページ: 192-195
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.625.192
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Investigation of removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Monna, H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Key Eng. Mater. 巻: 625 ページ: 458-462
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.625.458
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Competition between surface modification and abrasive polishing: a method of controlling the surface atomic structure of 4H-SiC (0001) (2015)
  • 著者名/発表者名: Hui Deng, Katsuyoshi Endo, Kazuya Yamamura
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 5 号: 1
  • DOI: 10.1038/srep08947
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for highly effective planarization of 4H-SiC (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Monna, T. Tabata, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Annals of the CIRP 巻: 63 号: 1 ページ: 529-532
  • DOI: 10.1016/j.cirp.2014.03.043
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Damage-free and atomically-flat finishing of single crystal SiC by combination of oxidation and soft abrasive polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Procedia CIRP 巻: 13 ページ: 203-207
  • DOI: 10.1016/j.procir.2014.04.035
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Comparison of thermal oxidation and plasma oxidation of 4H-SiC (0001) for surface flattening (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 104 号: 10
  • DOI: 10.1063/1.4868487
  • 査読あり
• [雑誌論文] Open-air type plasma chemical vaporization machining by applying pulse-width modulation control (2014)
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda, Y. Hata, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: J. Phys. D: Appl. Phys. 巻: 47 号: 11 ページ: 115503-115503
  • DOI: 10.1088/0022-3727/47/11/115503
  • 査読あり
• [雑誌論文] Experimental studies on water vapor plasma oxidation and thermal oxidation of 4H-SiC(0001) for clarification of the atomic-scale flattening mechanism in plasma assisted polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: 778-780 ページ: 587-590
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.587
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 103 号: 11 ページ: 111603-111603
  • DOI: 10.1063/1.4821068
  • 査読あり
• [学会発表] プラズマ援用研磨によるワイドギャップ半導体基板のダメージフリー仕上げ (2017)
  • 著者名/発表者名: 辻内健太郎, 蔭山千華, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 日本機械学会 関西学生会平成28年度学生員卒業研究発表講演会
  • 発表場所: 大阪大学吹田キャンパス（大阪府・吹田市）
• [学会発表] プラズマを援用した砥粒を用いない単結晶ダイヤモンドウエハの高能率研磨 (2017)
  • 著者名/発表者名: 江守健, 道上久也, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也
  • 学会等名: 日本機械学会 関西学生会平成28年度学生員卒業研究発表講演会
  • 発表場所: 大阪大学吹田キャンパス（大阪府・吹田市）
• [学会発表] Highly-efficient pit-free and slurryless finishing of GaN by plasma-assisted polishing (2016)
  • 著者名/発表者名: C. Kageyama, H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 16th International Conference on Precision Engineering (ICPE2016)
  • 発表場所: アクトシティ浜松（静岡県・浜松市）
  • 年月日: 2016-11-14
  • 国際学会
• [学会発表] Investigation of determining factor of etching rate of single crystal diamond in plasma chemical vaporization machining (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Dojo, K. Endo, H. Yamada, A. Chayahara, Y. Mokuno, K. Yamamura
  • 学会等名: 16th International Conference on Precision Engineering (ICPE2016)
  • 発表場所: アクトシティ浜松（静岡県・浜松市）
  • 年月日: 2016-11-14
  • 国際学会
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第8報）－エッチングレートの基板温度依存性の調査－ (2016)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也
  • 学会等名: 2016年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 茨城大学水戸キャンパス（茨城県・水戸市）
  • 年月日: 2016-09-06
• [学会発表] Planarization of CVD grown single crystal diamond wafer by numerically controlled plasma chemical vaporization machining (2016)
  • 著者名/発表者名: H. Dojo, K. Endo, H. Yamada, A. Chayahara, Y. Mokuno, K. Yamamura
  • 学会等名: 16th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Nottingham, UK
  • 年月日: 2016-05-30
  • 国際学会
• [学会発表] Highly-efficient slurryless finishing of GaN by plasma-assisted polishing using a resin bonded grinding stone (2016)
  • 著者名/発表者名: C. Kageyama, H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 16th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Nottingham, UK
  • 年月日: 2016-05-30
  • 国際学会
• [学会発表] High-spatial Resolution Figuring by Pulse Width Modulation Controlled Plasma Chemical Vaporization Machining (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Yamamura, Y. Takeda, S. Sakaiya, D. Funato, K. Endo
  • 学会等名: 18th CIRP Conference on Electro Physical and Chemical Machining (ISEM XVIII)
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス（東京都・文京区）
  • 年月日: 2016-04-19
  • 国際学会
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開発（第16報）－砥石の表面性状とGaNの研磨レートの相関－ (2016)
  • 著者名/発表者名: 蔭山千華, 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2016年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京理科大学野田キャンパス（千葉県野田市）
  • 年月日: 2016-03-15
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第７報）-プラズマエッチング反応領域の制限によるエッチピット成長の抑制- (2016)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也
  • 学会等名: 2016年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京理科大学野田キャンパス（千葉県野田市）
  • 年月日: 2016-03-15
• [学会発表] プラズマ援用研磨によるGaNの高能率ドライ仕上げ加工に関する研究 －プラズマ照射における初期酸化レート算出の基礎検討－ (2016)
  • 著者名/発表者名: 蔭山千華, 辻内健太郎, Deng Hui, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 精密工学会2016年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 島津製作所三条事業所（京都府・京都市）
• [学会発表] Plasma-assisted polishing: Novel damage-free atomically flat finishing technique for wide gap semiconductor materials (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Yamamura
  • 学会等名: The 16th International Manufacturing Conference in China
  • 発表場所: Hangzhou, China
  • 年月日: 2015-10-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Study on removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: C. Kageyama, K. Monna, H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: The 18th International Symposium on Advances in Abrasive Technology
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2015-10-04
  • 国際学会
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開発（第14 報） -プラズマをベースとした金型用 CVDSiCの形状創成と表面仕上げに関する研究- (2015)
  • 著者名/発表者名: 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2015年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 東北大学川内北キャンパス（宮城県仙台市青葉区）
  • 年月日: 2015-09-03
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第6報）-ラマン分光法を用いた表面構造の解析によるダイヤモ ンド除去モデルの提唱- (2015)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 田畑雄壮, 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明
  • 学会等名: 2015年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 東北大学川内北キャンパス（宮城県仙台市青葉区）
  • 年月日: 2015-09-03
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開発（第15報）-ウエハ用研磨装置の試作とその性能評価- (2015)
  • 著者名/発表者名: 蔭山千華, 門奈剛毅, 田畑雄壮, 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2015年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 東北大学川内北キャンパス（宮城県仙台市青葉区）
  • 年月日: 2015-09-03
• [学会発表] Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 65th CIRP General Assembly
  • 発表場所: Cape Town, South Africa
  • 年月日: 2015-08-23
  • 国際学会
• [学会発表] Improvement of Form Accuracy in NC-PCVM by Compensation of Surface Temperature Change (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Sakaiya, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: The 6th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Harbin, China
  • 年月日: 2015-08-15
  • 国際学会
• [学会発表] Planarization and Smoothing of CVD Grown Diamond Wafer by Atmospheric Pressure Plasma Based Process (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Dojo, T. Tabata, K. Endo, H. Yamada, A. Chayayahara, Y. Mokuno, K. Yamamura
  • 学会等名: The 6th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Harbin, China
  • 年月日: 2015-08-15
  • 国際学会
• [学会発表] サファイア基板のプラズマ援用研磨における加工モデルの提唱とサファイア表面の水和化の検証 (2015)
  • 著者名/発表者名: 蔭山千華, Deng Hui, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 精密工学会2015年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 京都工芸繊維大学松ヶ崎キャンパス（京都府京都市左京区）
  • 年月日: 2015-06-23
• [学会発表] プラズマ援用研磨によるダイヤモンドウエハの研磨における砥石材質と研磨特性の相関 (2015)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 田畑雄壮, 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明
  • 学会等名: 精密工学会2015年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 京都工芸繊維大学松ヶ崎キャンパス（京都府京都市左京区）
  • 年月日: 2015-06-23
• [学会発表] Polishing characteristics of CVD-SiC in plasma-assisted polishing (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 15th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2015-06-01
  • 国際学会
• [学会発表] Plasma-assisted polishing for damage-free atomically flat finishing of wide gap semiconductor materials (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Yamamura, H. Deng, K. Endo
  • 学会等名: ISPlasma2015/IC-PLANTS2015
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2015-03-26 – 2015-03-31
  • 招待講演
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の 開 発（ 第 12 報）-金型用CVD-SiCの研磨特性の評価- (2015)
  • 著者名/発表者名: 鄧輝, 今西勇介, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2015年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東洋大学・白山キャンパス
  • 年月日: 2015-03-19
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開 発（ 第 13 報 ） -単結晶GaNの研磨における表面改質条件の最適化- (2015)
  • 著者名/発表者名: 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2015年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東洋大学・白山キャンパス
  • 年月日: 2015-03-19
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化（第 5 報） -XPSとFTIR-ATR法を用いた表面終端構造の解析による平滑化モデルの提唱- (2015)
  • 著者名/発表者名: 田畑雄壮, 道上久也, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也
  • 学会等名: 2015年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東洋大学・白山キャンパス
  • 年月日: 2015-03-19
• [学会発表] 大気圧プラズマをベースとした単結晶CVDダイヤモンドウエハの平坦化・平滑化 (2015)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 田畑雄壮, 遠藤勝義, 山村和也, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明
  • 学会等名: 精密工学会第22回学生会員卒業研究発表講演会
  • 発表場所: 東洋大学・白山キャンパス
  • 年月日: 2015-03-17
• [学会発表] プラズマ援用研磨におけるサファイア基板の加工モデルの提唱とその検証 (2015)
  • 著者名/発表者名: 蔭山千華, 門奈剛毅, 田畑雄壮, 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 日本機械学会 関西学生会平成26年度学生員卒業研究発表講演会
  • 発表場所: 京都大学・桂キャンパス
  • 年月日: 2015-03-14
• [学会発表] マイクロ波プラズマジェットの数値制御走査による単結晶 CVD ダイヤモンドウエハの平坦化 (2015)
  • 著者名/発表者名: 道上久也, 田畑雄壮, 遠藤勝義, 山田英明, 茶谷原昭義, 杢野由明, 山村和也
  • 学会等名: 日本機械学会 関西学生会平成26年度学生員卒業研究発表講演会
  • 発表場所: 京都大学・桂キャンパス
  • 年月日: 2015-03-14
• [学会発表] Flattening of 4H-SiC by combination of oxidation and abrasive polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: The 10th China-Japan International Conference on Ultra-Precision Machining Process (CJUMP) and 2014 International Conference on Surface Finishing Technology (ICSFT)
  • 発表場所: Jiaozuo, China
  • 年月日: 2014-10-17 – 2014-10-19
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開 発（第11報） －サファイア基板のプラズマ援用研磨における加工メカニズムの調査－ (2014)
  • 著者名/発表者名: 門奈剛毅, 蔭山千華, 鄧輝, 田畑雄壮, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2014年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 鳥取大学
  • 年月日: 2014-09-16
• [学会発表] セリアスラリーを用いた研磨における化学作用と機械作用のバランスによる4H-SiCのステップ/テラス構造の制御 (2014)
  • 著者名/発表者名: 鄧輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 2014年度砥粒加工学会学術講演会
  • 発表場所: 岩手大学
  • 年月日: 2014-09-11
• [学会発表] Highly efficient planarization of CVD-grown single-crystal diamond substrate by atmospheric-pressure microwave plasma jet figuring (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Yamamura, S. Makiyama, T. Tabata, H. Yamada, A. Cyayahara, Y. Mokuno, S. Shikata, K. Endo
  • 学会等名: International Conference on Diamond and Carbon Materials 2014
  • 発表場所: Madrid, Spain
  • 年月日: 2014-09-07 – 2014-09-11
• [学会発表] Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for highly effective planarization of 4H-SiC (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Monna, T. Tabata, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 64th CIRP General Assembly
  • 発表場所: Nantes, France
  • 年月日: 2014-08-24 – 2014-08-30
• [学会発表] Surface modification of GaN by irradiation of atmospheric pressure plasma for damage-free polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K Yamamura
  • 学会等名: The 15th International Conference on Precision Engineering (ICPE2014)
  • 発表場所: Kanazawa, Japan
  • 年月日: 2014-07-23 – 2014-07-25
• [学会発表] Dependency of OH emission intensity in material removal rate of sapphire substrates in plasma assisted polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: K. Monna, H. Deng, T. Tabata, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: The 15th International Conference on Precision Engineering (ICPE2014)
  • 発表場所: Kanazawa, Japan
  • 年月日: 2014-07-23 – 2014-07-25
• [学会発表] Effect of plasma irradiation in removal rate of single crystal diamond in plasma assisted polishing with quartz glass tool (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Tabata, K. Monna, Y. Yamamoto, S. Makiyama, H. Deng, K. Endo, H. Yamada, A. Chayahara, Y. Mokuno, S. Shikata, K. Yamamura
  • 学会等名: The 15th International Conference on Precision Engineering (ICPE2014)
  • 発表場所: Kanazawa, Japan
  • 年月日: 2014-07-23 – 2014-07-25
• [学会発表] 大気圧雰囲気下で生成したArベースの水蒸気プラズマによる単結晶サファイア(0001)面の水和化 (2014)
  • 著者名/発表者名: 門奈剛毅, 蔭山千華, 鄧輝, 田畑雄壮, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 精密工学会2014年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 近畿大学・東大阪キャンパス
  • 年月日: 2014-07-04
• [学会発表] プラズマ援用研磨による単結晶GaN基板の高能率研磨 -プラズマ照射により改質された表面状態の評価- (2014)
  • 著者名/発表者名: 鄧 輝, 遠藤勝義, 山村和也
  • 学会等名: 精密工学会2014年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 近畿大学・東大阪キャンパス
  • 年月日: 2014-07-04
• [学会発表] Polishing characteristics of single crystal SiC assisted by plasma oxidation using different kinds of abrasives (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Endo, K. Yamamura
  • 学会等名: 14th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Dubrovnik, Croatia
  • 年月日: 2014-06-02 – 2014-06-05
• [学会発表] Study on oxidation processes of 4H-SiC (0001) for investigation of the atomically flattening mechanism in plasma assisted polishing (2014)
  • 著者名/発表者名: H. Deng, K. Yamamura
  • 学会等名: 2nd CIRP Conference on Surface Integrity (CSI)
  • 発表場所: Nottingham, UK
  • 年月日: 2014-05-28 – 2014-05-30
• [学会発表] Study on oxidation processes of 4H-SiC (0001) for investigation of the atomically flattening mechanism in plasma assisted polishing
  • 著者名/発表者名: H. Deng
  • 学会等名: 13th International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology
  • 発表場所: Berlin, Germany
• [学会発表] Atomic-scale Flattening Mechanism of 4H-SiC (0001) in Plasma Assisted Polishing
  • 著者名/発表者名: H. Deng
  • 学会等名: 63rd CIRP General Assembly
  • 発表場所: Copenhagen, Denmark
• [学会発表] Open-air Type Plasma Chemical Vaporization Machining by Applying Pulse Width Modulation Control
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda
  • 学会等名: The 9th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering (AEPSE)
  • 発表場所: Jeju, Korea
• [学会発表] Experimental studies on water vapor plasma oxidation and thermal oxidation of 4H-SiC (0001) for clarification of the atomic-scale flattening mechanism in plasma assisted polishing
  • 著者名/発表者名: H. Deng
  • 学会等名: The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013)
  • 発表場所: Miyazaki, Japan
• [学会発表] Finishing of 4H-SiC (0001) by Combination of Thermal Oxidation and Abrasive Polishing
  • 著者名/発表者名: H. Deng
  • 学会等名: 5th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology (ASPEN2013)
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
• [学会発表] Investigation of removal mechanism of sapphire in plasma assisted polishing
  • 著者名/発表者名: K. Monna
  • 学会等名: 5th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology (ASPEN2013)
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
• [学会発表] Material removal rate control in open-air type plasma chemical vaporization machining by pulse width modulation of applied power
  • 著者名/発表者名: Y. Takeda
  • 学会等名: 5th International Conference of Asian Society for Precision Engineering and Nanotechnology (ASPEN2013)
  • 発表場所: Taipei, Taiwan
• [学会発表] Nanoindentation studies on the mechanical properties of silicon face and carbon face of 4H-SiC
  • 著者名/発表者名: H. Deng
  • 学会等名: International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
• [学会発表] Effects of water concentration and gas species on OH radical emission intensity in plasma assisted polishing
  • 著者名/発表者名: K. Monna
  • 学会等名: International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
• [学会発表] Optimization of water content in process gas for high MRR of single crystal diamond in plasma assisted polishing
  • 著者名/発表者名: T. Tabata
  • 学会等名: International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Osaka, Japan
• [学会発表] 4H-SiC (0001)熱酸化面のセリア砥粒研磨によるステップ/テラス構造の形成
  • 著者名/発表者名: 鄧輝
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] 大気開放型数値制御プラズマCVMにおけるプラズマジェット型加工ヘッドの開発
  • 著者名/発表者名: 畑祐輝
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] Ar+O2マイクロ波プラズマジェットによる単結晶ダイヤモンド基板の数値制御平坦化に関する研究
  • 著者名/発表者名: 牧山真也
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] 大気開放型プラズマCVMにおけるPWM制御を適用した高精度加工に関する研究
  • 著者名/発表者名: 竹田善紀
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] 大気圧下における誘電体バリア放電を用いたプラズマ援用研磨による単結晶ダイヤモンド基板の平滑化に関する基礎検討
  • 著者名/発表者名: 田畑雄壮
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨によるサファイア基板の高能率平滑化プロセスの開発
  • 著者名/発表者名: 門奈剛毅
  • 学会等名: 精密工学会2013年度関西地方定期学術講演会
  • 発表場所: 大阪工業大学大宮キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨法による4H-SiC(0001)表面の平滑化（第 2 報）－水蒸気プラズマ酸化面のセリア砥粒研磨によるステップ/テラス構造の形成－
  • 著者名/発表者名: 鄧輝
  • 学会等名: 2013年度砥粒加工学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学駿河台キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開 発（第7報）－酸化面のセリア砥粒研磨によるtwo-bilayerのステップ/テラス構造を形成するメカニズムの考察－
  • 著者名/発表者名: 鄧輝
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開 発（第8報） －サファイア基板へのプラズマ援用研磨適用に関する基礎検討－
  • 著者名/発表者名: 門奈剛毅
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化 (第1報) －Ar+O2マイクロ波プラズマジェットのエッチング特性－
  • 著者名/発表者名: 牧山真也
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化 (第2報) －石英ガラスを工具としたプラズマ援用研磨におけるプラズマ照射の効果－
  • 著者名/発表者名: 田畑雄壮
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] 大気開放型プラズマ CVM を用いた形状創成における高精度化・高効率化に関する研究（第1報） －プラズマジェット加工方式における基礎的加工特性の評価－
  • 著者名/発表者名: 畑祐輝
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] 大気開放型プラズマ CVM を用いた形状創成における高精度化・高効率化に関する研究（第2報） －パルス幅変調制御による加工量制御の基礎的検討－
  • 著者名/発表者名: 竹田善紀
  • 学会等名: 2013年度精密工学会秋季大会学術講演会
  • 発表場所: 関西大学千里山キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開発（第9報） －単結晶SiC-C面の平滑化における研磨材の最適化－
  • 著者名/発表者名: 鄧輝
  • 学会等名: 2014年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
• [学会発表] プラズマ援用研磨法の開 発（第10報） －サファイア基板の加工量に対するOHラジカルの発光強度の依存性－
  • 著者名/発表者名: 門奈剛毅
  • 学会等名: 2014年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化 (第3報) －マイクロ波プラズマジェットを用いた数値制御平坦化－
  • 著者名/発表者名: 田畑雄壮
  • 学会等名: 2014年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
• [学会発表] 大気圧プラズマプロセスをベースとした単結晶ダイヤモンド基板の高能率ダメージフリー平坦化・平滑化 (第4報) －プラズマ援用研磨における，プラズマ発生雰囲気の制御と研磨レートの相関－
  • 著者名/発表者名: 田畑雄壮
  • 学会等名: 2014年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
• [学会発表] 大気開放型プラズマ CVM を用いた形状創成における高精度化・高効率化に関する研究（第3報） －PWM電力制御ユニットの開発及び加工量分布制御の評価－
  • 著者名/発表者名: 竹田善紀
  • 学会等名: 2014年度精密工学会春季大会学術講演会
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
• [図書] 精密加工と微細構造の形成技術 第1章第2節[9]プラズマ援用研磨による SiCのスクラッチフリー・ダメージフリー仕上げ (2013)
  • 著者名/発表者名: 山村和也
  • 総ページ数: 6
  • 出版者: 技術情報協会