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高品質・低抵抗SiC結晶の実現

研究課題

研究課題/領域番号 25249034
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関名古屋大学

研究代表者

亀井 一人  名古屋大学, 未来社会創造機構, 招へい教員 (10527576)

研究分担者 原田 俊太  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (30612460)
宇治原 徹  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)
加藤 正史  名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80362317)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
46,800千円 (直接経費: 36,000千円、間接経費: 10,800千円)
2016年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2014年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 32,240千円 (直接経費: 24,800千円、間接経費: 7,440千円)
キーワード結晶成長 / ドーピング / SiC
研究成果の概要

SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されている。パワーデバイスの低損失化においては、半導体材料の低抵抗化は不可欠であり、ドーピング濃度を高くする必要がある。SiCでは窒素やアルミニウムをドーパントとして用いるが、ドーピング濃度を高くすると積層欠陥が導入されてしまう.本研究では、高品質結晶成長として有用な溶液成長法において、ドーパント濃度の制御法を確立しつつ、積層欠陥抑制の条件取得を行った。その結果、ドーピング濃度の閾値を明らかにし、さらには、ドーパント取り込みメカニズムも明らかにした。

報告書

(5件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実績報告書
  • 2014 実績報告書
  • 2013 実績報告書
  • 研究成果

    (7件)

すべて 2016 2015 2014 2013

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (4件) (うち招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Polytype control by activity ratio of silicon to carbon during SiC solution growth using multicomponent solvents2016

    • 著者名/発表者名
      A. Horio, S. Harada, D. Koike, K. Murayama, K. Aoyagi, T. Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 55 号: 1S ページ: 01AC01-01AC01

    • DOI

      10.7567/jjap.55.01ac01

    • NAID

      210000145949

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method2016

    • 著者名/発表者名
      Z. Wang, T. Kawaguchi, K. Murayama, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Kato, T. Ujihara
    • 雑誌名

      Mater. Sci. Forum

      巻: 858 ページ: 57-60

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nitrogen doping of 4H-SiC by top-seeded solution growth technique using Si-Ti solvent2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada and Toru Ujihara
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 392 ページ: 60-65

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.01.044

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察2016

    • 著者名/発表者名
      陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2016-11-08
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察2016

    • 著者名/発表者名
      藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹,
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会 第3回講演会
    • 発表場所
      つくば国際会議場
    • 年月日
      2016-11-08
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] High quality SiC crystal grown by solution method2015

    • 著者名/発表者名
      Toru Ujihara
    • 学会等名
      International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development
    • 発表場所
      Solarpul, Indo
    • 年月日
      2015-01-08 – 2015-01-10
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique2013

    • 著者名/発表者名
      K. Kusunoki, K. Kamei, K. Seki, S. Harada, and T. Ujihara
    • 学会等名
      the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013)
    • 発表場所
      宮崎、日本
    • 年月日
      2013-09-29 – 2013-10-04
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書

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公開日: 2013-05-15   更新日: 2018-03-22  

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