| 研究課題/領域番号 |
25249054
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
小出 康夫 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 部門長/理事 (70195650)
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| 研究分担者 |
廖 梅勇 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニットワイドバンドギャップ機能材料グループ, 主幹研究員 (70528950)
井村 将隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニットワイドバンドギャップ機能材料グループ, 主任研究員 (80465971)
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| 連携研究者 |
津谷 大樹 物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門・ナノテクノロジー融合ステーション, 主任エンジニア (10469760)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
45,240千円 (直接経費: 34,800千円、間接経費: 10,440千円)
2016年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2015年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2014年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2013年度: 16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / 酸化物 / 酸化物界面 / 微細構造解析 / ２次元正孔伝導 / 水素終端表面 / 論理回路 / ゲート酸化膜 / 強誘電体 / 窒化アルミニウム / ＩＩＩ族窒化物 / ノーマリオフ動作 / 分極 / 酸化物ゲート / 窒化物ゲート / 高誘電ゲート / 異種接合 / 誘電体 / ゲート絶縁膜 / 誘電率 / 原子層堆積法 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は、正孔濃度の比較的高い表面伝導層を持つ特徴を活かすために、高性能なダイヤモンド電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を開発することであった。原子層堆積法酸化アルミニウム／スパッタリング法高誘電率酸化膜からなる２層積層ゲート構造を用いて２層酸化膜内正負固定電荷を制御することによりノーマリオン／オフモード動作を制御可能なプロセス法を構築し、それらＦＥＴを組み合わせた論理回路チップの開発に世界で初めて成功した。同時に、伝導チャネル内正孔発生メカニズムを微細構造解析を通して解明するととともに大きなドレイン電流を持つＡｌＮ膜ゲート構造を用いたダイヤモンドヘテロ接合型ＦＥＴの開発にも成功した。
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