研究課題/領域番号 |
25249111
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
反応工学・プロセスシステム
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研究機関 | 早稲田大学 |
研究代表者 |
野田 優 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (50312997)
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連携研究者 |
山田 淳夫 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (30359690)
山田 裕貴 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教 (30598488)
獨古 薫 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (70438117)
門間 聰之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (10277840)
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研究協力者 |
長谷川 繋
キンテーロ レストレポ リカルド
李 重昊
陳 忠明
川端 孝祐
成林 美里
青井 慈喜
小輪瀬 敬之
蜂谷 宗一郎
堀 圭佑
森川 裕介
葛原 颯己
本田 陽一郎
山片 豪
大沢 利男
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研究期間 (年度) |
2013-10-21 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
43,030千円 (直接経費: 33,100千円、間接経費: 9,930千円)
2016年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
2015年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
2014年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2013年度: 13,130千円 (直接経費: 10,100千円、間接経費: 3,030千円)
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キーワード | 簡易製膜プロセス / 高速・高収率製造 / 二次電池電極 / キャパシタ電極 / ナノ界面 / 3次元化 / カーボンナノチューブ / シリコン / 高速製膜 / 蓄電応用 |
研究成果の概要 |
新規活物質による蓄電デバイスの革新に向け、簡易・高速・高収率プロセスにより三次元ナノ構造電極を開発した。Siは黒鉛の10倍の負極容量を持つ。数μm厚さのSiおよびSi-Cu多孔質負極のCu集電体上への1分での作製を、安価なバルク原料で急速蒸着法により実現した。純度99.6 wt%超のサブミリメータ長の数層カーボンナノチューブ(CNT)を流動層で半連続合成、このCNTは精製処理なしに各種用途に利用できる。CNTを活性炭、コバルト酸リチウムや黒鉛と共分散・ろ過して数10 μm厚さの自立膜を作製、金属細線での部分的コンタクトで電極動作した。キャパシタや二次電池での重い金属集電体の利用の最小化を図る。
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