| 研究課題/領域番号 |
25249139
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
エネルギー学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
和田 一実 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30376511)
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| 研究分担者 |
寒川 誠二 東北大学, 流体化学研究所, 教授 (30323108)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
45,370千円 (直接経費: 34,900千円、間接経費: 10,470千円)
2015年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
2014年度: 15,730千円 (直接経費: 12,100千円、間接経費: 3,630千円)
2013年度: 17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
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| キーワード | 薄膜シリコン太陽電池 / 高効率化 / 面内光ガイディング / ナノシリコン球 / 共鳴散乱現象 / シリコン量子細線 / ゲルマニウム量子細線 / バイオテンプレート曲面加工 / ケルマニウム量子細線 / バイオテンプレート局面加工 / バイオテンプレート極限加工 |
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| 研究成果の概要 |
光ナノ構造制御では、Si太陽電池セルの薄層化のため垂直入射光をセル面内にガイドする新原理を提唱。直径三百nmのナノSi球を用い入射光を共鳴散乱させ、原理検証に成功。量子ナノ構造制御では、Siセルのタンデム化を可能とするゲルマニウム量子細線Ge QWRを、フェリチンバイオテンプレート技術と中性ビーム加工技術により製作成功。Ge QWRは直径10-20 nm、高さ200 nmであり、理論的な禁制帯幅は1300 nmとなり、フォトルミネッセンス法によりその発光を検出。これより、数ミクロン厚のSi太陽電池上に異なる直径のGe QWR太陽電池を多層積層することにより高効率な太陽電池の実現可能性を明示。
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