| 研究課題/領域番号 |
25286021
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
神田 晶申 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (30281637)
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| 連携研究者 |
吾郷 浩樹 九州大学, 先導物質科学研究所, 准教授 (10356355)
大塚 洋一 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50126009)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2015年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2013年度: 12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
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| キーワード | ナノ材料 / グラフェン / 電界効果トランジスタ / 格子ひずみ / 伝導ギャップ / バンドギャップ / 歪み効果 / 擬似磁場 |
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| 研究成果の概要 |
炭素原子の2次元結晶であるグラフェンには、格子歪みによって伝導電子がベクトルポテンシャルを感じるという特別な性質がある。これをうまく使うとグラフェンに大きな伝導ギャップを誘起できるという理論予測があり、格子ひずみは高性能グラフェントランジスタ実現のための基盤技術となる可能性がある。本研究では、制御性良くグラフェンに格子ひずみを導入し、その電気伝導を評価するための様々な試料作製方法を開発した。その結果、局所1軸格子ひずみ、周期的1軸ひずみ（ひずみ超格子）による伝導ギャップの生成を電気伝導によって観測することに初めて成功した。
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