| 研究課題/領域番号 |
25286026
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中村 芳明 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (60345105)
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| 研究分担者 |
澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 准教授 (90409376)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2013年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
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| キーワード | ナノ材料・創製プロセス / シリコン / 熱電ナノ材料 / ナノドット / 熱電変換材料 / シリコン系材料 / MBE / ユギキタス元素 / 極薄Si酸化膜 / ドーピング技術 / ＭＢＥ / ユビキタス元素 / 極薄Ｓｉ酸化膜 |
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| 研究成果の概要 |
従来相関のある熱伝導率と電気伝導率の同時制御は困難であるが、熱電変換において、高い電気伝導率と低い熱伝導率の実現は必要である。本研究では、ナノドット/Si層をコヒーレントに積層した構造を創出し、高電気伝導率、低熱伝導率をもつ材料の創製を行った。本ナノドットは、フォノンを波動として効率的に散乱し熱伝導率を低減する役割を果たしている。また、適切にドーピングすることでナノドット/Si界面では、あまり電子は散乱されない条件としている。そのため、高電気伝導率、低熱伝導率となるＳｉ材料を開発することに成功した。これは、高性能Si系熱電材料実現の可能性を示す結果である。
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