| 研究課題/領域番号 |
25286040
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 (2016)
東北大学 (2013-2015) |
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研究代表者 |
林 好一 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20283632)
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| 研究分担者 |
細川 伸也 熊本大学, 自然科学研究科, 教授 (30183601)
田中 義人 兵庫県立大学, その他の研究科, 教授 (80260222)
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| 連携研究者 |
福村 知昭 東北大学, 大学院理学研究科, 教授 (90333880)
内富 直隆 長岡技術科学大学, 大学院工学研究科, 教授 (20313562)
赤木 和人 東北大学, WPI, 准教授 (50313119)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
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| キーワード | 蛍光Ｘ線ホログラフィー / 強磁性半導体 / 局所構造 / ３Ｄ原子イメージ / 希薄磁性半導体 / 磁性元素 / 亜酸化物 / 蛍光X線ホログラフィー / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
強磁性半導体であるCo:TiO2薄膜、Mn:ZnSnAs2薄膜及びGeMnTe薄膜に対し、磁性元素に着目した蛍光Ｘ線ホログラムの測定を行った。Co:TiO2についてはCo周辺にサブオキサイドと呼ばれる特異なクラスターが形成されていることが分かった。次に、Mn:ZnSnAs2については、その母材料のZnSnAs2がディスオーダー相であるスファレライト構造であり、かつ、As副格子が大きく乱れていることが分かった。また、GeMnTeについては、Ge周辺は菱面体構造であるGeTeの構造が反映されており対称性が低く、一方、Mn周辺の構造の対称性が高いことが分かった。
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