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非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開

研究課題

研究課題/領域番号 25286048
研究種目

基盤研究(B)

配分区分一部基金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関千葉大学

研究代表者

石谷 善博  千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)

研究分担者 篠塚 雄三  和歌山大学, システム工学部, 教授 (30144918)
矢口 裕之  埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
連携研究者 森田 健  千葉大学, 大学院工学研究科, 准教授 (30448344)
馬 ベイ  千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (90718420)
研究協力者 大木 健輔  千葉大学, 工学部, 技術補佐員
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2016年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2014年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
キーワードフォノンエンジニアリング / 励起子 / 結晶欠陥 / 窒化物半導体 / 光物性 / フォノンダイナミクス / キャリアダイナミクス / 半導体物性 / 結晶工学 / 格子欠陥 / フォノン / 量子井戸 / 太陽電池 / 発光デバイス / 時間分解PL / 時間分解計測 / フォノン局在制御
研究成果の概要

半導体素子特性を決める多くの過程にフォノンが関わっている。太陽電池のエネルギー変換効率,励起子の生成・解離,非輻射性キャリア再結合などがこれにあたる。熱平衡状態の詳細な電子・正孔‐励起子系の研究があるが,フォノン系,電子系,輻射場を全て含んだ非熱平衡過程の解析は進んでいない。本研究では,材料物性,素子構造等に基づく素子中のキャリア密度,格子温度などを変数にとり,種々の素過程を統合した電子・正孔や励起子の励起・脱励起の流れを初めて特徴づけることを行った。特に励起子の安定性,非輻射性再結合やキャリアトラップの原因となる深い準位への遷移過程に対するフォノン局在性の影響について新たな知見を得た。

報告書

(5件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実績報告書
  • 2014 実績報告書
  • 2013 実績報告書
  • 研究成果

    (98件)

すべて 2017 2016 2015 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (19件) (うち査読あり 19件、 謝辞記載あり 10件) 学会発表 (75件) (うち国際学会 21件、 招待講演 4件) 備考 (4件)

  • [雑誌論文] Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates2017

    • 著者名/発表者名
      K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 254 号: 2 ページ: 1600542-1600542

    • DOI

      10.1002/pssb.201600542

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] lectronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory2017

    • 著者名/発表者名
      M. Oda, Y. Kuroda, A. Kishi, and Y. Shinozuka
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 254 号: 2

    • DOI

      10.1002/pssb.201600519

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitation and de-excitation dynamics of excitons in a GaN film based on the analysis of radiation from high-order states2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, and Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 49 号: 24 ページ: 245102-245102

    • DOI

      10.1088/0022-3727/49/24/245102

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2016

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FH02-05FH02

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fh02

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics in GaN based on hydrogen plasma model2016

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5S ページ: 05FM06-05FM06

    • DOI

      10.7567/jjap.55.05fm06

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys:Wurtzite structure2016

    • 著者名/発表者名
      Ayaja Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 号: 5 ページ: 051202-051202

    • DOI

      10.7567/jjap.55.051202

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure2015

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka and Masato Oda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 54 号: 9 ページ: 091202-091202

    • DOI

      10.7567/jjap.54.091202

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices2015

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Okada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA07-08KA07

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka07

    • NAID

      210000145536

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Control of intermediate-band configulation in GaAs:N δ-doped superlattice2015

    • 著者名/発表者名
      K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, Y. Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8S1 ページ: 08KA04-08KA04

    • DOI

      10.7567/jjap.54.08ka04

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dielectric absorption of s-polarized infrared light resonant to longitudinal optical phonon energy incident on lateral (0001)GaN/Ti stripe structures2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani, K. Hatta, K. Morita, and B. Ma
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 48

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53

    • NAID

      210000144514

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Interacting quasi-band model for electronic states in alloy semiconductors: Relation to average t-matrix approximation and band anticrossing model2014

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 7 ページ: 071201-071201

    • DOI

      10.7567/apex.7.071201

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys2014

    • 著者名/発表者名
      W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 211 号: 4 ページ: 752-755

    • DOI

      10.1002/pssa.201300462

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N2014

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H.
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 7 号: 10 ページ: 102301-102301

    • DOI

      10.7567/apex.7.102301

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Nonradiative coherent carrier captures and defect reaction at deep-level defects via2014

    • 著者名/発表者名
      Masaki Wakita, Kei Suzuki, and Yuzo Shinozuka
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings

      巻: 1583 ページ: 204-204

    • DOI

      10.1063/1.4865636

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Analysis of nouradiative carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, Masayuki Fujiwra, X. Q. Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 42 号: 5 ページ: 875-881

    • DOI

      10.1007/s11664-013-2550-y

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mechanisms of structural changes induced by electronic excitations in solids2013

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka
    • 雑誌名

      Proc. SPIE Optics and Optoelectronics 2013

      巻: 8777 ページ: 12-12

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN2013

    • 著者名/発表者名
      J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 378 ページ: 454-458

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 378 ページ: 307-309

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析2017

    • 著者名/発表者名
      松本大,馬ベイ,森田健,福井一俊,木村真一,飯塚拓也,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      大木 健輔,野町健太郎, 馬ベイ,森田健, 石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算2017

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎,大木健輔, 馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価2017

    • 著者名/発表者名
      加藤 諒,八木 修平, 岡田 至崇, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製2017

    • 著者名/発表者名
      梅田 峻平,八木 修平, 宮下 直也, 岡田 至崇,矢口 裕之
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Properties of dilute nitride pseudo-alloys grown using a nitrogen delta-doping technique2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, Y. Okada, H. Yaguchi
    • 学会等名
      SPIE Photonics West OPTO (10099-14)
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2017-01-31
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Okim Hironori Sakamoto, and Ken Morita
    • 学会等名
      Third Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sendai, Japan
    • 年月日
      2017-01-16
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Electronic transition dynamics of deep levels in a p-GaN film analysed by time resolved PL measurements using two excitation laser beams2016

    • 著者名/発表者名
      Hla Myo Tun, Ryo Shouji, Bei Ma, Ken Morita, Kenji Shiojima
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2016-12-10
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算2016

    • 著者名/発表者名
      岸 彩香,小田 将人,篠塚 雄三
    • 学会等名
      第27回 光物性研究会
    • 発表場所
      神戸大学
    • 年月日
      2016-12-03
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Exciton dynamics and stability of GaN in non-thermal equilibrium state by the analysis taking into account the higher-order exciton states2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, K. Takeuchi, T. Iwahori, K. Oki, K. Nomachi, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state2016

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Seiconductors 2016
    • 発表場所
      Orland, USA
    • 年月日
      2016-10-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算2016

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎, 岩堀友洋,大木健輔,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程2016

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,三宅 秀人,平松 和政,石谷 善博
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御2016

    • 著者名/発表者名
      松岡 圭佑,八木 修平,矢口 裕之
    • 学会等名
      第78回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Nano-Structural Characterization of Cubic InN Dots Grown on Single-Domain Cubic GaN by Transmission Electron Microscopy2016

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, K. Ishii, H. Yaguchi
    • 学会等名
      19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2016-09-05
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth of InN/GaN Dots on 4H‐SiC(0001) 4° off Vicinal Substrates by Molecular Beam Epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      K. Matsuoka, S. Yagi, H. Yaguchi
    • 学会等名
      19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2016-09-05
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs2016

    • 著者名/発表者名
      K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi
    • 学会等名
      19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2016-09-05
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates2016

    • 著者名/発表者名
      K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-27
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB theory2016

    • 著者名/発表者名
      Ayaka Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
    • 学会等名
      International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model2016

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 発表場所
      Toyama
    • 年月日
      2016-06-26
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaNにおける起子分子準位間遷移過程理論計算2016

    • 著者名/発表者名
      野町健太郎,岩堀友洋,大木健輔,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物混晶半導体の IQB 理論 による電子状態計算2016

    • 著者名/発表者名
      岸 彩香,小田 将人,篠塚 雄三
    • 学会等名
      第8回 窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 非熱平衡状態におけるGaN励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算2016

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,竹内和真,石谷 善博,三宅 秀人,平松 和政
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2016-05-09
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 高次励起準位を用いたGaNにおける励起子の励起・脱励起ダイナミクス解析2016

    • 著者名/発表者名
      竹内和真、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析2016

    • 著者名/発表者名
      岩堀友洋、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaN薄膜の電子特性深さ分解評価手法2016

    • 著者名/発表者名
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      2016年第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] IQB理論によるII-VI族化合物半導体の電子状態の計算2016

    • 著者名/発表者名
      藤本徳明,小田将人,篠塚雄三
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2015

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN2015

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state2015

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Kazuma Takeuchi, and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
    • 発表場所
      Act City Hamamatsu, Hamamatsu
    • 年月日
      2015-11-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] GaNにおけるフォノン-キャリアダイナミクス解析2015

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 竹内 和真、岩堀 友洋、三宅 秀人、平松 和政、石谷 善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • 著者名/発表者名
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      上條隆明、馬ベイ、森田健、石谷善博
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析2015

    • 著者名/発表者名
      宮崎 貴史, 八木 修平, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      吉川 洋生, 八木 修平, 矢口 裕之
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 混晶化合物半導体のIQB modelによる電子状態計算:III-V(ZB)2015

    • 著者名/発表者名
      岸 彩香,小田将人,篠塚雄三
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算2015

    • 著者名/発表者名
      辻尾健志、小田将人、篠塚雄三
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped2015

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki,
    • 学会等名
      5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental
    • 発表場所
      (Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2015-09-08
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Numerical analysis of ion impurity effect on energy relaxation processes of carriers and excitons in GaN2015

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
    • 学会等名
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Epitaxial relationship of GaN grown on GaAs (110) by RF-molecular beam2015

    • 著者名/発表者名
      T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. Kuboya, R. Katayama, and
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC (0001)2015

    • 著者名/発表者名
      S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi
    • 学会等名
      11th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ELECTRONIC STATES OF ZINC-BLENDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka and Masato Oda
    • 学会等名
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] ELECTRONIC STATES OF WURZIDE NITRIDE ALLOYS CALCULATED BY IQB MODEL2015

    • 著者名/発表者名
      Ayaka Kishi and Yuzo Shinozuka
    • 学会等名
      11th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Beijin, China
    • 年月日
      2015-08-30
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法2015

    • 著者名/発表者名
      上條 隆明, 馬 蓓, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2015-05-07
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおける定常状態励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算2015

    • 著者名/発表者名
      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      2015-05-07
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究2015

    • 著者名/発表者名
      宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-12 – 2015-03-14
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] GaNにおけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程の励起条件依存に関する数値解析2015

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 赤外反射分光による 赤外反射分光による GaN のキャリヤ密度深さ分布解析2015

    • 著者名/発表者名
      上條 隆明 , 馬ベイ, 森田 健, 石谷 善博
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 励起子励起準位を用いたGaNの励起子ダイナミクスの解析2015

    • 著者名/発表者名
      竹内 和真 ,大泉 尚之 ,馬 ベイ ,森田 健 ,石谷 善博 ,三宅 秀人 ,平松 和政
    • 学会等名
      第62回 応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 混晶化合物半導体の電子状態計算:IQB model の拡張2015

    • 著者名/発表者名
      篠塚雄三、小田将人
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Optical characterization of III-nitride semiconductors for ultraviolet to infrared light emitting devices2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2014-12-28 – 2014-12-29
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Simulation of exciton and carrier energy excitation and relaxation dynamics in GaN2014

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Kenji Takahashi, K. Takeuchi, T. Iwahori, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      Nanoenergy and Nanosystems 2014
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2014-12-08 – 2014-12-10
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on2014

    • 著者名/発表者名
      T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H.
    • 学会等名
      6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2014-11-25
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価2014

    • 著者名/発表者名
      石谷善博,森田健,馬 ベイ
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] GaN におけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程2014

    • 著者名/発表者名
      馬 ベイ,山口裕暉,高橋賢治,後藤圭,竹内和真,岩堀友洋,森田健,石谷善博,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第75回 応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 混晶半導体の電子状態に対する新しい計算法:IQB2014

    • 著者名/発表者名
      篠塚雄三
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      末次 麻希子, A. Z. M. Touhidul Islam, 花岡 司, 福田 武司, 鎌田 憲彦, 八
    • 学会等名
      平成26年度(第47回)照明学会全国大会
    • 発表場所
      さいたま
    • 年月日
      2014-09-05
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Exciton-phonon interaction of GaN in non-thermal equilibrium state2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani, K. Takahashi, K. Goto, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2014
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2014-08-24 – 2014-08-29
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Luminescence and Quenching Properties in GaPN Revealed by Below-Gap2014

    • 著者名/発表者名
      M. Suetsugu, A. Z. M. Touhidul Islam, T. Hanaoka, T. Fukuda, N. Kamata,
    • 学会等名
      The 14th International Symposium on the Science and Technology of
    • 発表場所
      Como, Italy
    • 年月日
      2014-06-23
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded2014

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2014-05-12
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Anomalous excitation power dependence of the luminescence from2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 41st International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Montpellier, France
    • 年月日
      2014-05-12
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Carrier recombination dynamics of III-nitrides based on infrared spectroscopy2014

    • 著者名/発表者名
      Y.Ishitani
    • 学会等名
      AnalytiX 2014
    • 発表場所
      Dalian, China
    • 年月日
      2014-04-22 – 2014-04-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書 2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN励起子発光のフォノンレプリカに着目した励起子運動量および再結合過程の解析2014

    • 著者名/発表者名
      高橋賢治,後藤圭,今井大地,森田健,馬蓓, 石谷善博,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 縮退型ポンプ-プローブ法によるInN の超高速ダイナミクス観測2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 森田健, 塚原捷生, 馬 蓓, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] InNの非輻射再結合速度決定機構におけるキャリア・フォノン輸送特性2014

    • 著者名/発表者名
      今井大地, 森田健, 塚原捷生, 馬 蓓, 石谷善博, 王 新強, 草部一秀, 吉川明彦
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] InNのバンド端発光効率低減過程におけるフォノン輸送特性の影響,今井大地,石谷善博, 王新強, 吉川明彦2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、森田健、馬王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      第74回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] フォノンレプリカを用いた励起子解離ダイナミクス解析の可能性2013

    • 著者名/発表者名
      後藤圭,今井大地,高橋賢治,森田健,石谷善博,三宅秀人
    • 学会等名
      第74回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Effects of Carrier Transport and Local Lattice Temperature on Nonradiative Recombination processes in InN Films2013

    • 著者名/発表者名
      Daichi Imai, Yoshihiro Ishitani, X inqiang Wang, Kazuhide Kusakabe, and Akihiko Yoshikawa
    • 学会等名
      10th International Symposium on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Washington, U.S.A
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 窒化インジウムにおけるフォノン放出を伴う非輻射再結合2013

    • 著者名/発表者名
      今井大地、石谷善博、王新強、吉川明彦
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討2013

    • 著者名/発表者名
      徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 混晶半導体の電子状態の理論:非対角乱れ

    • 著者名/発表者名
      藤川雄兵、篠塚雄三
    • 学会等名
      第24回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Energy Conversion between Electron and Phonon via Deep-level Defects

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposium B
    • 発表場所
      Doshisha Univ.
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by

    • 著者名/発表者名
      S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [備考] 千葉大学量子デバイス物性研究室ホームページ

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [備考] 千葉大学工学部電気電子工学科 光エレクトロニクス研究室

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [備考] 非熱平衡キャリアダイナミクスに着目した光デバイス

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [備考] 光エレクトロニクス研究室(千葉大)

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書

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公開日: 2013-05-21   更新日: 2019-07-29  

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