| 研究課題/領域番号 |
25286053
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)
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| 研究分担者 |
吹留 博一 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (10342841)
焦 賽 東北大学, 電気通信研究所, 教育研究支援者 (80710475)
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| 連携研究者 |
長澤 弘幸 東北大学, 電気通信研究所, 産学官連携研究員 (60649367)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2014年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2013年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
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| キーワード | 3C-SiC / ヘテロエピタキシ / グラフェン / 積層欠陥 / 転位 / 表面化学反応 |
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| 研究成果の概要 |
Si 基板上に成長させた立方晶SiC薄膜（3C-SiC）にエピタキシャルグラフェンを形成するグラフェン・オン・シリコン（GOS）を用いたデバイスを実用化するため、グラフェンのグレインサイズを制限する主要因の一つである3C-SiC中の結晶欠陥を低減した。まず、3C-SiC中における面欠陥の構造とその発生機構を解明し、3C-SiCエピタキシャル膜厚と欠陥密度の関係をモンテカルロ計算により定量的に算出した。 次いで、3C-SiC表面に露出する欠陥密度を低減に導くための欠陥配置を考案し、その効果をSi基板上の3C-SiCエピタキシャル成長によって検証した。
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