| 研究課題/領域番号 |
25286055
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長谷川 幸雄 東京大学, 物性研究所, 准教授 (80252493)
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| 連携研究者 |
吉田 靖雄 東京大学, 物性研究所, 助教 (10589790)
浜田 雅之 東京大学, 物性研究所, 技術専門職員 (00396920)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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| キーワード | 走査トンネル顕微鏡 / 近接効果 / ２次元超伝導 / 強磁性薄膜 / ラシュバ効果 / 点接触 / 超伝導 / 強磁性 |
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| 研究成果の概要 |
常伝導金属を超伝導体に接触させると、超伝導ライクな性質が接触界面近傍に現れる。走査トンネル顕微鏡による局所トンネル分光の機能を生かして、誘起された超伝導特性およびその空間分布を評価し、欠陥構造や電子状態による影響を明らかにした。
２次元金属層における近接効果による研究では、原子層ステップ構造が超伝導特性に大いに影響を与えること見出された。超伝導の拡がりを遮断するとともに、ステップと界面間では増強させることが明らかとなった。
強磁性体との近接効果では、超伝導特性が界面近傍において破壊される逆近接効果が観察された。破壊の拡がりに異方性が見出され、フェルミ面形状によるものと結論された。
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