研究課題/領域番号 |
25287073
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 一部基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 公益財団法人名古屋産業科学研究所 (2015) 名古屋大学 |
研究代表者 |
黒田 新一 公益財団法人名古屋産業科学研究所, その他部局等, 研究員 (20291403)
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研究分担者 |
田中 久暁 名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教 (50362273)
下位 幸弘 産業技術総合研究所, その他部局等, 研究チーム長 (70357226)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2014年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2013年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
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キーワード | 有機半導体 / 電界効果デバイス / 非線形素励起 / 電子スピン共鳴 / 理論計算 / 有機トランジスタ / 導電性高分子 |
研究成果の概要 |
最近の有機トランジスタ(FET)では新しいπ共役系分子や高分子の開発により移動度の向上が著しい。本研究では、代表的な高移動度材料であるチエノチオフェン系を中心に材料やFET中のキャリアを電子スピン共鳴(ESR)により直接観測し、キャリアダイナミクスや電子状態を解明した。特にアルキル鎖と拡張されたπ電子系を有する低分子材料(C10DNTT)では約10meVという有機材料中でも最も低い移動度活性化エネルギーを明らかにし、高結晶性高分子(PBTTT)では、イオン液体絶縁膜トランジスタ構造などによる高キャリアドーピング下でポーラロンからバイポーラロンをへて金属状態に至る電子状態の変化と制御に成功した。
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