| 研究課題/領域番号 |
25287154
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
吉村 智 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40294029)
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| 研究分担者 |
木内 正人 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域無機機能材料研究部門, 主任研究員 (50356862)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2013年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
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| キーワード | SiC / イオンビーム / CVD / ヘテロエピ成長 / シリコンカーバイド |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、これまでナノレベルの立体構造形成や磁気媒体の開発などに使われてきたイオンビーム誘起CVD法の技術を、シリコンカーバイド（SiC）の薄膜成長に応用することを試みた。メチルシランを1.2sccmの流量でシリコン基板に吹き付けつつ、そこに100eVのアルゴンイオンビームを重畳する実験を行った。実験中の基板温度は600、700、800℃とした。その結果、600度の場合に、イオンビームの効果によりSiCの成長が促進されることを確認した。一方、700、800度の場合には、イオンビームの有無にかかわらず、SiCの成膜が起こった。
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