| 研究課題/領域番号 |
25288107
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
平尾 一之 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90127126)
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| 研究分担者 |
西 正之 京都大学, 大学院工学(系)研究科(研究院), 講師 (50402962)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2015年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2014年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2013年度: 12,350千円 (直接経費: 9,500千円、間接経費: 2,850千円)
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| キーワード | 金ナノ粒子 / 無電解 / シリコン / 集束イオンビーム / ナノ粒子 |
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| 研究成果の概要 |
金ナノ粒子の大きさ、形状、集積の制御は、ナノ分析や、センサー等に重要である。シリコン基板の表面に集束イオンビームを照射後、同基板上に塩化金酸水溶液を滴下すると照射部に選択的に金ナノ粒子が成長する。この我々が偶然見いだしたシリコン基板上での新たな局所選択的無電解法に関し、その主な金成長機構を明らかにすることに成功した。さらに、同手法とインクジェット法を組み合わせることにより金の成長をさらに制御することにも成功した。
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