| 研究課題/領域番号 |
25289043
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
宮崎 康次 九州工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70315159)
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| 研究分担者 |
高尻 雅之 東海大学, 工学部, 准教授 (50631818)
矢吹 智英 九州工業大学, 大学院工学研究院, 助教 (70734143)
田中 三郎 日本大学, 工学部, 助教 (30713127)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2015年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2014年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | ナノマイクロ熱工学 / 低次元半導体 / 熱電変換 / 薄膜生成 / ナノインプリント |
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| 研究成果の概要 |
真空アークプラズマ放電蒸着法によりBi2Te3熱電薄膜をガラス基板上に生成した．蒸着中基板を200℃に加熱して，膜厚10nmの連続膜を生成するノウハウを確立した．薄膜の熱電特性を測定し，最も薄い膜厚10nmのBi2Te3薄膜のゼーベック係数が169マイクロV/Kで最大となった．しかし，この増加は古典的なキャリア輸送により説明できる現象であり，低次元化によるゼーベック係数の飛躍的な増加ではなかった．無次元性能指数は0.5(at 300K)となった．今後さらなる超薄膜生成技術の確立が必須である．他，凹凸のある基板利用で量子細線作製にも取組み，50nm程度のBi2Te3細線を生成できることを示した．
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