| 研究課題/領域番号 |
25289084
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
松井 裕章 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 講師 (80397752)
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| 研究分担者 |
蓮池 紀幸 京都工芸繊維大学, 大学院工芸研究科, 助教 (40452370)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2014年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2013年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
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| キーワード | 非極性 / ZnO / 偏光性 / 光電変換機能 / 紫外領域 / 格子歪 / 量子井戸 / 酸化物半導体 / 偏光機能 / 光電機能 / 光子歪 / 偏光光学 / 紫外 / 結晶対称性 / 光電ｊ変換 / 酸化物 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、半導体的性質と誘電体的性質を併せ持つ酸化物半導体（非極性ZnO）に着目し、分極方位制御及び電子構造制御に基づいて、高い偏光性と光電機能を実現することを目指した。k-p摂動法による電子バンド構造計算に基づいた試料内への異方的格子歪の導入に伴い、室温下において高い偏光性を有する非極性ZnO薄膜の形成に成功した。更に、ZnO/MgxZn1-xO量子井戸構造内の井戸層と障壁層界面に強い格子歪の導入にした試料において、15%程度の高い光電変換効率を実現した。偏光の光学的制御は、偏光性を利用した光学用にむけた要素技術であり、紫外域における偏光検出デバイス等への応用に寄与する。
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