| 研究課題/領域番号 |
25289087
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
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| 研究分担者 |
立岡 浩一 静岡大学, 工学部, 教授 (40197380)
池田 浩也 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (00262882)
ムカンナン アリバナンドハン 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50451620)
岡野 泰則 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
稲富 裕光 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 教授 (50249934)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2015年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
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| キーワード | 熱電デバイス / シリコンゲルマニウム / 不純物添加 / 温度差徐冷法 / 溶質輸送 / X線透過法 / 熱電特性 / マグネシウムシリコンゲルマニウム / ゼーベック係数 / 熱伝導率 / 性能指数 / 混晶半導体 / ガリウム / 溶質輸送効果 |
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| 研究成果の概要 |
X線透過法でSi原料溶解過程、Si-Ge溶液中濃度分布、SiGe結晶成長過程を測定し、溶質輸送効果を明らかにした。低温度勾配下で温度差徐冷法により任意の均一組成SiGe多結晶を成長させた。Ga添加Si0.68Ge0.32 結晶とSb添加Si0.73Ge0.27結晶を成長させ、抵抗率、ゼーベック係数、熱伝導率と無次元性能指数の温度依存性を調べた。Ga添加とSb添加試料の無次元性能指数はそれぞれ0.34と 0.44であり、リン添加SiGeバルク結晶よりも大きな値が得られた。ボールミリング法でドメイン構造を含むSiGeナノ結晶を合成した。SiGeナノ構造で無次元性能指数の最大値1.84を達成した。
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