| 研究課題/領域番号 |
25289088
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
只友 一行 山口大学, 理工学研究科, 教授 (10379927)
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| 研究分担者 |
山田 陽一 山口大学, 大学院理工学研究科, 教授 (00251033)
酒井 朗 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (20314031)
岡田 成仁 山口大学, 大学院理工学研究科, 助教 (70510684)
山根 啓輔 山口大学, 理工学研究科, 助教 (80610815)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2015年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2014年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
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| キーワード | GaN / 半極性面 / MOVPE / HVPE / 転位 / サファイア基板 / 積層欠陥 / GaN基板 / 研磨 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、サファイア加工基板（PSS）を使い、光デバイスやパワーデバイスに有望な、大口径・高品質の半極性{20-2-1}自立GaN基板の成長技術の研究に取り組んだ。{20-2-1}GaNは窒化処理を施した{22-43} PSSのc面近傍側壁から成長したが、再現性に課題が残った。{20-2-1} GaN自立基板は、{22-43}面PSSに成長した{20-21}GaN基板の裏面上に成長することで実現した。{20-2-1} GaNは、成長に伴う転位密度の低減が{20-21} GaNに比べて速い特徴があることが新しく見出された。以上のように、半極性{20-2-1}自立GaN基板の作製技術を確立した。
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