研究課題
基盤研究(B)
本研究では、高性能GeSnデバイスの融合によるSi集積回路性能の飛躍的向上を目指し、Ge中におけるSnの熱平衡固溶度の壁を打破する非熱平衡GeSnプロセスの検討を行った。さらに、その知見を絶縁膜上におけるGeSn横方向成長に展開し、Si基板と絶縁分離した高Sn濃度(≧8%)GeSn-on-Insulator構造の形成技術を開発した。
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すべて 雑誌論文 (16件) (うち査読あり 16件、 オープンアクセス 2件、 謝辞記載あり 14件) 学会発表 (39件) (うち国際学会 22件、 招待講演 4件)
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