高性能量子光源のための新たな等電子トラップの探索と特性制御に関する研究

• 研究課題/領域番号: 25289091
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 佐久間 芳樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, グループリーダー (60354346)
• 研究分担者: 池沢 道男 筑波大学, 数理物質科学研究科, 准教授 (30312797)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円); 2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円); 2014年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2013年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
• キーワード: 量子閉じ込め / 単一不純物 / 励起子 / 単一光子 / 等電子トラップ / フォトニック結晶 / パーセル効果 / MOCVD / 量子ドット / 結晶工学 / 半導体物性 / 光物性

研究成果の概要

発光エネルギーや強度の揃った高性能な単一光子源を実現するため、GaAs中にドープされた窒素不純物が作る等電子トラップの特性制御に関する研究を行った。AlGaAs/GaAs:N/AlGaAs量子井戸構造を使って等電子トラップからの発光エネルギーを制御できることを明らかにしたほか、フォトニック結晶のL3共振器によって等電子トラップからの自然放出光がパーセル効果によって増強されることを実証した。

研究成果

• [雑誌論文] Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, M. Jo, T. Mano, Y. Sakuma, T. Noda, and D. Fujita
  • 雑誌名: Nanoscale 巻: 7 号: 40 ページ: 16773-16780
  • DOI: 10.1039/c5nr04193g
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum key distribution over 120 km using ultrahigh purity single-photon source and superconducting single-photon detectors (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Takemoto, Y. Nambu, T. Miyazawa, Y. Sakuma, T. Yamamoto, S. Yorozu, and Y. Arakawa
  • 雑誌名: SCIENTIFIC REPORTS 巻: 5 号: 1
  • DOI: 10.1038/srep14383
  • 査読あり
• [雑誌論文] Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Ha, T. Mano, Y.-L. Chou, Y.-N Wu, S.-J. Cheng, J. Bocquel, P. M. Koenraad, A. Ohtake, Y. Sakuma, K. Sakoda, and T. Kuroda
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: 92 号: 7
  • DOI: 10.1103/physrevb.92.075306
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 54 号: 4S ページ: 04DH01-04DH01
  • DOI: 10.7567/jjap.54.04dh01
  • NAID: 210000145025
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 106 号: 2
  • DOI: 10.1063/1.4905661
  • 査読あり
• [雑誌論文] Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Ha, T. Mano, T. Kuroda, K. Mitsuishi, A. Ohtake, A. Castellano, S. Sanguinetti, T. Noda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 54 号: 4S ページ: 04DH07-04DH07
  • DOI: 10.7567/jjap.54.04dh07
  • NAID: 210000145031
  • 査読あり
• [雑誌論文] Voltage dependence of two-step photocurrent generation in quantum dot intermediate band solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, T. Mano, M. Jo, Y. Sakuma, K. Sakoda, and L. Han
  • 雑誌名: Sol. Energy Mat. Sol. Cells 巻: 134 ページ: 108-113
  • DOI: 10.1016/j.solmat.2014.11.038
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vanishing fine structure splittings in telecom wavelength quantum dots grown on (111)A surfaces by droplet epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: X. Liu, N. Ha, H. Nakajima, T. Mano, T. Kuroda, B. Urbaszek, H. Kumano, I. Suemune, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 90 号: 8
  • DOI: 10.1103/physrevb.90.081301
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Growth of GaSb and AlSb quantum dots on high index GaAs substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 7 号: 5 ページ: 055502-055502
  • DOI: 10.7567/apex.7.055502
  • NAID: 210000137096
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 雑誌名: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 巻: 12 号: 0 ページ: 304-306
  • DOI: 10.1380/ejssnt.2014.304
  • NAID: 130004933817
  • ISSN: 1348-0391
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] Droplet epitaxial growth of highly symmetric quantum dots emitting at telecommuni -cation wavelengths on InP (111)A (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ha, X. Liu, T. Mano, T. Kuroda, K. Mitsuishi, A. Castellano, S. Sanguinetti, T. Noda, Y. Sakuma, K. Sakoda
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: Vol. 104 号: 14 ページ: 143106-143106
  • DOI: 10.1063/1.4870839
  • 査読あり
• [雑誌論文] Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in delta-doped GaP (2014)
  • 著者名/発表者名: P.St-Jean, G. Ethier-Majcher, Y. Sakuma, and S. Francoeur
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 89 号: 7
  • DOI: 10.1103/physrevb.89.075308
  • 査読あり
• [雑誌論文] Tight-binding analysis of the electronic states in AlAs with N isoelectronic impurities (2014)
  • 著者名/発表者名: Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 115 号: 12 ページ: 123501-123501
  • DOI: 10.1063/1.4869261
  • 査読あり
• [雑誌論文] Post-growth annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: 10 号: 11 ページ: 1505-1508
  • DOI: 10.1002/pssc.201300121
  • 査読あり
• [雑誌論文] Size-dependentcontactangleofGadropletsonGaAs (2013)
  • 著者名/発表者名: Masafumi Jo, Takaaki Mano,Yoshiki Sakuma,Kazuaki Sakoda
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 378 ページ: 5-7
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.129
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-assemblyofGadropletsattachedtoGaAsquantumdots (2013)
  • 著者名/発表者名: Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 378 ページ: 53-56
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.155
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 巻: 378 ページ: 475-479
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impacts of ambipolar carrier escape on current-voltage characteristics in a type-I quantum-well solar cell (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 103, 6 号: 6
  • DOI: 10.1063/1.4818510
  • 査読あり
• [雑誌論文] Symmetric quantum dots as efficient sources of highly entangled photons : Violation of Bell ' s inequality without spectral and temporal filtering (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kuroda, T. Mano, N. Ha, H. Nakajima, H Kumano, B. Urbaszek, M. Jo, M. Abbarachi, Y. Sakuma, K. Sakoda, I Suemune, X. Marie, T. Amand
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: Vol. 88 号: 4
  • DOI: 10.1103/physrevb.88.041306
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single Photon Generation from an Impurity Center with Well-Defined Emission Energy in GaAs (2013)
  • 著者名/発表者名: L. Zhang, M. Ikezawa, T. Mori, S. Umehara, Y. Sakuma, K. Sakoda, and Y. Masumoto
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.52 号: 4S ページ: 04CG11-04CG11
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04cg11
  • NAID: 210000142068
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photo-induced current in n-AlGaAs/ GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, H. Sakaki
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 102, 25 号: 25 ページ: 252104-252104
  • DOI: 10.1063/1.4812293
  • 査読あり
• [学会発表] Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, M. Jo, T. Mano, T. Noda, Y. Sakuma, and D. Fujita
  • 学会等名: IVC20 第20回 国際真空学術会議・展示会
  • 発表場所: Busan（韓国）
  • 年月日: 2016-08-21
  • 国際学会
• [学会発表] Droplet epitaxy quantum dots in ultra-high efficiency solar cells (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, T. Mano, Y. Yao, and Y. Sakuma
  • 学会等名: QD 2016
  • 発表場所: Jeju（韓国）
  • 年月日: 2016-05-22
  • 国際学会
• [学会発表] Study on coherence time and indistinguishability of single photons from nitrogen impurity centers in GaAs (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Ikezawa, L. Zhang, Y. Sakuma, K. Sakoda, Y. Masumoto
  • 学会等名: QD 2016
  • 発表場所: Jeju（韓国）
  • 年月日: 2016-05-22
  • 国際学会
• [学会発表] Ultralow g(2)(0) single-photon emission from 1.5 μm-quantum dot using cryogen-free refrigerator system (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Miyazawa, K. Takemoto, Y. Nambu, S. Miki, T. Yamashita, H. Terai, M. Fujiwara, M. Sasaki, Y. Sakuma, M. Takatsu, T. Yamamoto, Y. Arakawa
  • 学会等名: PLMCN-17
  • 発表場所: 東大寺総合文化センター（奈良市）
  • 年月日: 2016-03-28
  • 国際学会
• [学会発表] GaAs中の窒素発光中心から発生した光子の量子干渉 (2016)
  • 著者名/発表者名: 張遼、池沢道男、佐久間芳樹、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大大岡山キャンパス（東京都）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイIIナノロッドの光学異方性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 川津琢也、野田武司、佐久間芳樹、榊裕之
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大大岡山キャンパス（東京都）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 長距離量子暗号通信を実現する単一光子源技術 (2016)
  • 著者名/発表者名: 竹本一矢、宮澤俊之、南部芳弘、三木茂人、山下太郎、寺井弘高、藤原幹生、佐々木雅英、佐久間芳樹、高津求、山本剛之、萬伸一、荒川泰彦
  • 学会等名: 新しい光源技術と応用的研究・開発 （電子情報通信学会）
  • 発表場所: 九州大学伊都キャンパス（福岡市）
  • 年月日: 2016-03-15
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of coupled quantum dot-ring structures by multiple-droplet epitaxy process (2016)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, and Y. Sakuma
  • 学会等名: MANA International Symposium 2016
  • 発表場所: エポカル（つくば市）
  • 年月日: 2016-03-09
  • 国際学会
• [学会発表] Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using cross-sectional scanning tunneling microscopy (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, M. Jo, T. Mano, T. Noda, Y. Sakuma, and D. Fujita
  • 学会等名: ISPlasma2016/IC-PLANTS2016
  • 発表場所: 名古屋大学（名古屋市）
  • 年月日: 2016-03-06
  • 国際学会
• [学会発表] (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象：ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて (2015)
  • 著者名/発表者名: 間野高明、大竹晃浩、Ha Neul、黒田隆、佐久間芳樹、迫田和彰
  • 学会等名: 第11回量子ナノ材料セミナー
  • 発表場所: 電気通信大学（調布市）
  • 年月日: 2015-12-08
  • 招待講演
• [学会発表] 可搬型冷凍機を用いた1.5 μm 帯超高純度単一光子発生器 (2015)
  • 著者名/発表者名: 宮澤俊之、竹本一矢、南部芳弘、三木茂人、山下太郎、寺井弘高、藤原幹生、佐々木雅英、佐久間芳樹、高津求、山本剛之、荒川泰彦
  • 学会等名: 第33回量子情報技術研究会(QIT33)
  • 発表場所: NTT厚木研究開発センター（厚木市）
  • 年月日: 2015-11-24
• [学会発表] Dependence of open-circuit voltage in GaNAs/AlGaAs quantum structure solar cells on N concentration (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, and Y. Sakuma
  • 学会等名: PVSEC-25
  • 発表場所: Busan（韓国）
  • 年月日: 2015-11-15
  • 国際学会
• [学会発表] Resonant excitation of single luminescence centers in GaAs:N (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Ikezawa, N. Yasuda, L. Zhang, Y. Sakuma, K. Sakoda, and Y. Masumoto
  • 学会等名: SSDM 2015
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター（札幌市）
  • 年月日: 2015-09-27
• [学会発表] Droplet epitaxy GaAs/AlGaAs quantum dot embedded solar cells with enhanced sub-band gap light absorption (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, T. Mano, and Y. Sakuma
  • 学会等名: German MBE-Workshop 2015
  • 発表場所: Paderborn（ドイツ）
  • 年月日: 2015-09-21
  • 国際学会
• [学会発表] Probing carrier transport by surface excitation of GaNAs/GaAs quantum structure embedded solar cells with zero valance band offset (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, and Y. Sakuma
  • 学会等名: 31st European PVSEC
  • 発表場所: Hamburg（ドイツ）
  • 年月日: 2015-09-14
  • 国際学会
• [学会発表] Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Ha、間野高明、黒田隆、S.-J. Cheng、P. M. Koenraad、大竹晃浩、佐久間芳樹、迫田和彰
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの面内電流生成 (2015)
  • 著者名/発表者名: 川津琢也、野田武司、佐久間芳樹、榊裕之
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製 (2015)
  • 著者名/発表者名: 間野高明、黒田隆、N. Ha、野田武司、佐久間芳樹、迫田和彰
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] He循環型冷凍機を用いた超高純度1.5 μm帯単一光子発生器 (2015)
  • 著者名/発表者名: 宮澤俊之、竹本一矢、南部芳弘、三木茂人、山下太郎、寺井弘高、藤原幹生、佐々木雅英、佐久間芳樹、高津求、山本剛之、荒川泰彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場（名古屋市）
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] GaAs中の窒素発光中心を利用した単一光子源 (2015)
  • 著者名/発表者名: 池沢道男、張遼、武田寛之、池田直樹、杉本善正、佐久間芳樹、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: 光・量子計測シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
  • 年月日: 2015-09-09
  • 招待講演
• [学会発表] Non-classical light generation from isoelectronic traps embedded in photonic crystal microcavities (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Ikezawa, Y. Yamada, Y. Sakuma, L. Zhang, H. Takeda, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Sakoda, and Y. Masumoto
  • 学会等名: EP2DS-21/MSS-17
  • 発表場所: 仙台国際センター（仙台市）
  • 年月日: 2015-07-26
  • 国際学会
• [学会発表] Prospects for high efficiency intermediate band solar cells using dilute nitride III-V semiconductors (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, and Y. Sakuma
  • 学会等名: RESD 2015
  • 発表場所: Thimphu（ブータン王国）
  • 年月日: 2015-06-15
  • 国際学会
• [学会発表] Single photon generation from nitrogen isoelectronic traps in III-V semiconductors (2015)
  • 著者名/発表者名: 池沢道男、張遼、佐久間芳樹、武田寛之、池田直樹、杉本善正、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: Korea-Japan Joint Symp. on Semiconductor Physics and Technology
  • 発表場所: Daejeon（韓国）
  • 年月日: 2015-04-22
  • 国際学会
• [学会発表] Entangled photon emission at temperatures up to 60 K from droplet epitaxial quantum dots (2015)
  • 著者名/発表者名: X. Liu, T. Kuroda, T. Mano, H. Nakajima, H. Kumano, I. Suemune, Y. Sakuma, K. Sakoda
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果 (2015)
  • 著者名/発表者名: 川津琢也、野田武司、佐久間芳樹、榊裕之
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] Open-circuit voltage recovery in dilute-N GaAs/AlGaAs quantum structure solar cells (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Elborg, T. Noda, and Y. Sakuma
  • 学会等名: MANA International Symposium 2015
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-13
• [学会発表] Direct visualization of N impurity state in GaAs using STM (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, M. Jo, T. Mano, T. Noda, Y. Sakuma, and D. Fujita
  • 学会等名: 22nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
  • 発表場所: 熱川ハイツ（静岡県東伊東町）
  • 年月日: 2014-12-11 – 2014-12-13
• [学会発表] Non-classical light generation from isoelectronic centers embedded in photonic crystal microcavities (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Ikezawa, Y. Yamada, Y. Sakuma, L. Zhang, H. Takeda, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Sakoda, and Y. Masumoto
  • 学会等名: Recent Progress of Photonic Devices and Materials
  • 発表場所: 神戸大学（神戸市）
  • 年月日: 2014-11-13 – 2014-11-14
• [学会発表] Direct visualization of N impurity state in GaAs using STM (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, M. Jo, T. Mano, T. Noda, Y. Sakuma, and D. Fujita
  • 学会等名: The 7th International Symposium on Surface Science
  • 発表場所: くにびきメッセ（島根県松江市）
  • 年月日: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [学会発表] 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 川津琢也、野田武司、間野高明、佐久間芳樹、榊裕之
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] フォトニック結晶共振器に埋め込まれた等電子トラップからの非古典光発生 (2014)
  • 著者名/発表者名: 山田雄太、張遼、池沢道男、武田寛之、池田直樹、杉本善正、佐久間芳樹、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御 (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ha、間野高明、X. Liu、黒田隆、三石和貴、大竹晃浩、野田武司、佐久間芳樹、迫田和彰
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製 (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ha、間野高明、X. Liu、黒田隆、三石和貴、大竹晃浩、野田武司、佐久間芳樹、迫田和彰
  • 学会等名: 第75回応用物理学秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化 (2014)
  • 著者名/発表者名: 石田暢之、定昌史、間野高明、野田武司、佐久間芳樹、藤田大介
  • 学会等名: 第75回応用物理学秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（札幌市）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Kawazu, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, and H. Sakaki
  • 学会等名: 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ha, T. Mano, X. Liu, T. Kuroda, K. Mitsuishi, A. Ohtake, A. Castellano, T. Noda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 学会等名: 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] 発光エネルギーの揃ったGaAs中の窒素発光中心の位相緩和 (2014)
  • 著者名/発表者名: 張遼、池沢道男、佐久間芳樹、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: 日本物理学会 2014年秋季大会
  • 発表場所: 中部大学（愛知県春日井市）
  • 年月日: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [学会発表] 等電子トラップを埋め込んだフォトニック結晶共振器の光学特性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 山田雄太、張遼、池沢道男、武田寛之、池田直樹、杉本善正、佐久間芳樹、迫田和彰、舛本泰章
  • 学会等名: 日本物理学会 2014年秋季大会
  • 発表場所: 中部大学（愛知県春日井市）
  • 年月日: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [学会発表] Yellow single-photon emission from nitrogen impurity centers in AlAs (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Jo, T. Mano, T. Kuroda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 学会等名: SPIE 2014
  • 発表場所: San Diego （米国）
  • 年月日: 2014-08-17 – 2014-08-21
• [学会発表] Multi-exciton binding in droplet epitaxially grown InAs/InP(111)A quantum dots at telecommunication wavelengths (2014)
  • 著者名/発表者名: X. Liu, N. Ha, T. Kuroda, T. Mano, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 学会等名: ICPS 2014
  • 発表場所: Austin （米国）
  • 年月日: 2014-08-10 – 2014-08-15
• [学会発表] Characterization of potential profile in multiple quantum well solar cell by using cross-sectional Kelvin probe force microscopy (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Ishida, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, L. Han, and D. Fujita
  • 学会等名: Non-contact atomic force microscopy 2014
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
  • 年月日: 2014-08-04 – 2014-08-08
• [学会発表] 自己形成による量子ドットの作製技術・光学特性とその応用 (2014)
  • 著者名/発表者名: 佐久間芳樹、間野高明
  • 学会等名: 量子ドットの作製技術・構造制御と応用
  • 発表場所: 技術情報協会（東京、五反田）
  • 年月日: 2014-07-24
  • 招待講演
• [学会発表] Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Mano, A. Ohtake, T. Kuroda, N. Ha, X. Liu, K. Mitsuishi, A. Hagiwara, J. Nakamura, A. Castellano, S. Sanguinetti, T. Noda, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 学会等名: 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures
  • 発表場所: Milano (イタリア）
  • 年月日: 2014-05-16
  • 招待講演
• [学会発表] InAs quantum dots formed on InP(111)A by droplet epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Mano, N. Ha, X. Liu, T. Kuroda, K. Mitsuishi, T. Noda, A. Castellano, S. Sanguinetti, Y. Sakuma, and K. Sakoda
  • 学会等名: 8th International conference on Quantum Dots
  • 発表場所: Pisa（イタリア）
  • 年月日: 2014-05-11 – 2014-05-16
• [学会発表] InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長
  • 著者名/発表者名: 間野高明ほか
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学（相模原市）
• [学会発表] Formation of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy and their optical emission at 1.3μm and 1.55μm
  • 著者名/発表者名: N. Haほか
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学（相模原市）
• [学会発表] GaNAs/AlGaAs with close-to-ideal absorption energies for intermediate band solar cell application
  • 著者名/発表者名: E. Martinほか
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学（相模原市）
• [学会発表] 単一発光中心の共鳴励起による単一光子発生
  • 著者名/発表者名: 池沢道男ほか
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学（相模原市）
• [学会発表] ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性
  • 著者名/発表者名: 佐久間芳樹ほか
  • 学会等名: 「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」最終成果報告会
  • 発表場所: イイノホール＆カンファレンスセンター（東京都）
  • 招待講演
• [学会発表] NIMSにおける量子ナノ構造研究の進展 －液滴量子ドットと等電子トラップを中心に－
  • 著者名/発表者名: 佐久間芳樹ほか
  • 学会等名: 第９回量子ナノ材料セミナー
  • 発表場所: 阿南工専（徳島県）
  • 招待講演
• [学会発表] Spectral broadening in height controlled single GaAs quantum dots formed by droplet epitaxy
  • 著者名/発表者名: N. Haほか
  • 学会等名: 12th International Conference on ACSIN
  • 発表場所: つくば国際会議場（つくば市）
• [学会発表] 共鳴励起準位の選択による量子ドット単一光子発生器の純度改善
  • 著者名/発表者名: 宮澤俊之ほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
• [学会発表] 1.5μｍ帯量子ドット単一光子源を用いた100km量子鍵配布
  • 著者名/発表者名: 南部芳弘ほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
• [学会発表] Growth of strain-relaxed InGaAs on GaAs (111)A
  • 著者名/発表者名: N. Haほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
• [学会発表] 液滴エピタキシー法による格子整合系量子ナノ構造の自己形成とその光物性
  • 著者名/発表者名: 間野高明ほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
  • 招待講演
• [学会発表] 試料端局所照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの光電流
  • 著者名/発表者名: 川津琢也ほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
• [学会発表] Two-step photocurrent generation in droplet epitaxy GaAs/AlGaAs QD-IBSCs
  • 著者名/発表者名: E. Martinほか
  • 学会等名: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学（京田辺市）
• [学会発表] Formation of isoelectronic localized states with well-defined emission energy in δ-doped GaAs:N
  • 著者名/発表者名: Y. Sakumaほか
  • 学会等名: EWMOVPE 2013
  • 発表場所: アーヘン（ドイツ）
• [学会発表] Post-growth annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy
  • 著者名/発表者名: T. Kawazuほか
  • 学会等名: The 40th ISCS
  • 発表場所: 神戸国際会議場（神戸市）
• [学会発表] Suppression of multi-photon emission in 1.5μm quantum-dot single-photon source
  • 著者名/発表者名: T. Miyazawaほか
  • 学会等名: IPRM 2013
  • 発表場所: 神戸コンベンションセンター（神戸市）
• [備考] 量子ナノ構造グループ
  • URL: http://www.nims.go.jp/units/apm/qns/index.html
• [備考] 量子ナノ構造グループ
  • URL: http://www.nims.go.jp/units/apm/qns/
• [備考] http://www.nims.go.jp/units/apm/qns/