| 研究課題/領域番号 |
25289092
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
秋本 良一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 上級主任研究員 (30356349)
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| 研究協力者 |
フェン ジジュン University of Shanghai for Science and Technology, School of Optical-Electrical and Computer Engineering, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2015年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
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| キーワード | 半導体レーザー / 量子井戸 / II-VI族半導体 / ベリリウムカルコゲナイド / 緑黄色半導体レーザー / 量子井戸・超格子 |
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| 研究成果の概要 |
BeZnCdSe量子井戸を活性とし、新規な電流狭窄構造をもった緑～黄色波長域の半導体レーザー素子を実現した。ディープエッチングによるリッジ構造の形成と、SiO2絶縁膜への埋め込み・平坦化プロセスを開発した。素子表面の平坦化プロセスにおいては、化学機械研磨と反応性イオンエッチングを組み合わせることにより、精密に膜厚を制御しながらSiO2の平坦化および上部素子電極の精密な頭出しが可能となった。作製した素子のしきい電流値は10mA以下と極めて低くなり、従来構造の約1/10から1/5程度に抑制することに成功した。
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