| 研究課題/領域番号 |
25289093
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
東脇 正高 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター, センター長 (70358927)
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| 研究分担者 |
尾沼 猛儀 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (10375420)
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
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| 連携研究者 |
山口 智広 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (50454517)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)
2015年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
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| キーワード | 分子線エピタキシー / 酸化物 / 窒化物 / 半導体物性 / 先端機能デバイス / MBE |
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| 研究成果の概要 |
Ⅲ族酸化物半導体と窒化物半導体という異なる材料系で構成する、二つのタイプの酸化物/窒化物ヘテロ構造の実現に挑んだ。タイプⅠは、窒化物半導体 (GaN) をチャネル層とし、酸化物 (Al2O3) を障壁層とする構造、タイプⅡは、酸化物半導体 (Ga2O3) をチャネル層に、窒化物 (AlN) を障壁層とする構造である。両タイプ共に、様々なエピ成長前基板処理、バッファー層成長条件を試し、成長シーケンス、条件の最適化の結果、基本的な分子線エピタキシー成長技術を確立することに成功した。また、光学的評価から、バンドギャップエネルギーなどの未解明だったGa2O3の物性についても多くの新たな知見が得られた。
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