| 研究課題/領域番号 |
25289098
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
小野 行徳 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授 (80374073)
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| 研究分担者 |
堀 匡寛 静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (50643269)
土屋 敏章 島根大学, 総合理工学研究科, 教授 (20304248)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2013年度: 13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
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| キーワード | チャージポンピング / ドナー / 単一電子転送 / 電子正孔再結合 / 電子スピン共鳴 / 単一電子 / 不純物原子 |
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| 研究成果の概要 |
半導体中の局在準位を用いた電荷の高精度転送を実現するために、その素過程を調べ以下の結果を得た。まず、電子正孔再結合過程を実時間で観測できる手法を確立し、捕獲断面積などの情報を抽出することに成功した。また、単一界面欠陥の再結合過程を調べ、2電子再結合が生じていることを見出した。この結果は、チャージポンピング法の基礎をなす電荷再結合のメカニズムが、SRH理論では記述できないことを強く示唆している。さらに、シリコン中の浅い準位を有するドナーのスピン状態を電子スピン共鳴法を用いて調べ、砒素のみ、常磁性化していないことを示唆する結果を得た。
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