| 研究課題/領域番号 |
25289100
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪工業大学 (2015)
北陸先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
山田 省二 大阪工業大学, 教育センター, 教授 (00262593)
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| 研究分担者 |
土家 琢磨 北海道大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40262597)
赤堀 誠志 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 准教授 (50345667)
岩瀬 比宇麻 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教 (10709132)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
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| キーワード | スピンバルブ素子 / 強磁性電極 / スピンFET論理回路 / スピンFET / スピン軌道相互作用 / インバータ / 論理回路 / スピンエレクトロニクス / 半導体ヘテロ接合 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、以前、Datta-Das spin-FETに近いSV素子において得られた、高いスピン注入効率と極めて長いスピン拡散長を拠り所とし、上記spin-FET及びそれらを2個組み合わせたインバータ素子の試作とその動作確認を最終的な目標として、様々な具体的な課題解決に取り組んだ。最大の難関は、再現性の良い特性が得られる素子の試作過程での、強磁性体電極と絶縁膜（Al2O3）を介したトップゲートのプロセス確立であった。その結果以前のSV特性の完全な再現には至らなかったが、10 μm以下の強磁性体電極間隔をもつデバイスでスピン情報の伝達を確認でき、最終的にインバータ素子の原型試作まで到達できた。
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