| 研究課題/領域番号 |
25289105
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
浅野 種正 九州大学, システム情報科学研究科(研究院, 教授 (50126306)
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| 連携研究者 |
池上 浩 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 准教授 (70413862)
池田 晃裕 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教 (60315124)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2014年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 9,880千円 (直接経費: 7,600千円、間接経費: 2,280千円)
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| キーワード | 炭化シリコン / SiC / レーザープロセッシング / レーザードーピング / 液中レーザー / JBSダイオード / オーミック接触 / パワーデバイス / JBS / 電力用半導体素子 / ドーピング / 4H-SiC |
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| 研究成果の概要 |
ワイドギャップ半導体である炭化シリコン(SiC)の電気伝導制御のための新しい不純物導入法として、不純物を含む液体中に浸したSiCにレーザーを照射する方法を開発した。リン酸、液体窒素、塩化アルミニウム水溶液中でレーザー照射を行うことで、リン、窒素、アルミニウムをそれぞれドーピングでき、n型、p型の制御が可能であることを示した。レーザーを照射して溶融アルミニウムを生成することで、溶液中よりも高濃度で深いドーピングができることを見出した。pn接合ダイオード、JBSダイオードを低エネルギーコストで作製できることを示した。さらに低抵抗の金属接触を形成するのにも有効であることを示した。
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