| 研究課題/領域番号 |
25289106
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 兵庫県立大学 |
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研究代表者 |
渡邊 健夫 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (70285336)
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| 研究分担者 |
原田 哲男 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助教 (30451636)
木下 博雄 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 特任教授 (50285334)
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| 研究協力者 |
武藤 正雄
津野 勝重
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2014年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2013年度: 12,870千円 (直接経費: 9,900千円、間接経費: 2,970千円)
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| キーワード | 半導体微細加工 / 極端紫外線リソグラフィ / EUVレジスト / 感度 / 解像度 / LWR / アウトガス / 軟X線光電子分光 / 非化学増幅系レジスト / 化学増幅系レジスト / 金属レジスト / EUVリソグラフィ / レジスト / 高感度 / 軟Ｘ線吸収分光 |
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| 研究成果の概要 |
EUVリソグラフィは1Xnm以下の半導体微細加工技術として最も期待されている技術である。この中で、高感度、低LWRが要求されている。これらのレジスト性能を実現するためには、EUV光による光化学反応、並びに反応収率を向上させる必要がある。そこで、以下の内容について研究を実施し、材料設計、反応解析の手法、並びに１XnmのEUVレジスト解像性評価のためのEUV干渉露光系の開発を進め、これらの見通しを得るに至った。
今後が、これらの成果を元に金属レジストについて同様の評価を進め、要求仕様を満足するEUVレジスト開発を継続する。
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