研究課題
基盤研究(B)
Siは、毒性が低い、p型・n型の制御が容易、低価格で高品質な材料が入手可能といった多くの利点を有する一方で、バルクSiのZTは最大でも0.2程度しかなく、実用化の目安であるZT = 1には遠く及ばない。この原因は、軽元素・単純結晶構造・共有結合に起因する高い格子熱伝導率と高ドープ領域におけるイオン化不純物散乱に起因する低いキャリア移動度にある。本研究では、ナノ構造制御と変調ドープを組み合わせた手法により、Siの熱電特性を向上させることを試みた。結果、金属シリサイドをナノスケールでSi中に分散することで、高い出力因子を保ちつつ格子熱伝導率を大幅に低減させ、ZTを向上させることに成功した。
すべて 2017 2016 2015 2014 2013 その他
すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (27件) (うち国際共著 1件、 査読あり 25件、 謝辞記載あり 12件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (24件) (うち国際学会 3件、 招待講演 9件) 図書 (4件) 備考 (4件)
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 56 号: 4 ページ: 045502-045502
10.7567/jjap.56.045502
210000147528
日本金属学会誌
巻: 81 号: 2 ページ: 55-59
10.2320/jinstmet.J2016053
130005296414
巻: 55 号: 6 ページ: 061301-061301
10.7567/jjap.55.061301
210000146580
MATERIALS TRANSACTIONS
巻: 57 号: 7 ページ: 1070-1075
10.2320/matertrans.E-M2016805
130005158392
巻: 57 号: 7 ページ: 1076-1081
10.2320/matertrans.E-M2016807
130005158388
巻: 57 号: 7 ページ: 1018-1021
10.2320/matertrans.MF201601
130005158395
physica status solidi (b)
巻: 253 号: 3 ページ: 469-472
10.1002/pssb.201552650
巻: 54 号: 11 ページ: 111801-111801
10.7567/jjap.54.111801
210000145819
巻: 79 号: 11 ページ: 573-576
10.2320/jinstmet.JA201502
130005105618
巻: 79 号: 11 ページ: 569-572
10.2320/jinstmet.JA201501
130005105617
J. Electron. Mater.
巻: 44 号: 3 ページ: 948-952
10.1007/s11664-014-3592-5
Front. Chem.
巻: 2
10.3389/fchem.2014.00084
Nanoscale
巻: 6 号: 22 ページ: 13921-13927
10.1039/c4nr04470c
巻: 55 号: 8 ページ: 1215-1218
10.2320/matertrans.E-M2014821
130004455349
巻: 55 号: 8 ページ: 1232-1236
10.2320/matertrans.E-M2014826
130004825200
Phys. Status Solidi A
巻: 211 号: 8 ページ: 1732-1739
10.1002/pssa.201330493
巻: 78 号: 6 ページ: 225-229
10.2320/jinstmet.J2014005
130004786463
巻: 43 号: 6 ページ: 2064-2071
10.1007/s11664-013-2954-8
J. Alloys Compd.
巻: 588 ページ: 199-205
10.1016/j.jallcom.2013.11.034
J. Appl. Phys.
巻: 115 号: 2
10.1063/1.4861157
Phys. Status Solidi B
巻: 252 ページ: 162-167
工業材料
巻: 62 ページ: 18-20
巻: 62 ページ: 39-42
APL Materials
巻: 1 号: 3
10.1063/1.4821626
巻: 114 号: 13
10.1063/1.4823814
J. Solid State Chem.
巻: 204 ページ: 257-265
10.1016/j.jssc.2013.05.038
巻: 52 号: 8R ページ: 081801-081801
10.7567/jjap.52.081801
210000142560
http://www.see.eng.osaka-u.ac.jp/seems/seems/kurosaki.html
http://thermoelectric-nanosilicon.jp/index.html
http://www.see.eng.osaka-u.ac.jp/seems/seems/