| 研究課題/領域番号 |
25289231
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
弓野 健太郎 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (40251467)
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| 連携研究者 |
神子 公男 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (80334366)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2013年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円)
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| キーワード | 構造・機能材料 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池 |
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| 研究成果の概要 |
フラットパネルディスプレイやフレキシブルデバイスに使用する薄膜トランジスタのチャネル層への応用を目的として、金属触媒を利用してSi等の半導体薄膜を低温で結晶化する技術の開発に取り組んだ。その結果、あらかじめAl等の金属触媒でコートした加熱基板上にSi原子を供給したり、加熱基板上にAuとGeを同時に供給することで、結晶化をより低温で起こすことが可能であることを明らかにした。また、触媒金属内にドーパントを添加しておくことで、半導体への低温ドーピングも可能であることも見出した。
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