| 研究課題/領域番号 |
25289242
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
藤本 公三 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70135664)
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| 研究分担者 |
福本 信次 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (60275310)
松嶋 道也 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90403154)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2015年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2013年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
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| キーワード | 低融点金属薄膜 / 固液共存 / ダイボンド / サイズ効果 / 有限要素法 / 熱応力 / 割れ / 銅 / 低温接合 / 多層金属薄膜 / 金属間化合物 / 銅電極 / Ag添加 / エレクトロニクス実装 |
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| 研究成果の概要 |
現在、電子部品の高集積化が進み、BGAなどの表面実装から3次元実装に向けて研究が加速している．この場合に必要となるのはウェハの面実装であり，微細Cu電極間の接合がキーテクノロジーとなる．また他方，パワー半導体も汎用Siから高温動作可能なSiCへの変化が進んでおり、その周辺技術としての高耐熱性を有するダイボンド技術の開発が必要とされている。いずれの接合においても基本は銅同士の接合であるが、ここでは低融点金属薄膜を利用し、多相間の反応現象を利用した銅の接合を行った。接合層の微細組織形成過程、接合時に生じる熱応力問題について詳細に研究し、マルチフェイズ接合法の適用可能性を追求した。
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